ОБОЗНАЧЕНИЕ НАПРАВЛЕНИЙ В КРИСТАЛЛЕ В кристаллографии возникает необходимость в определении направления отдельных атомных рядов; или атомных плоскостей. Векторный метод (применительно к кубической решетке) xyz x 0 у 0 z 0 а r х 0 /rу 0 /rz 0 /r Пусть проекции вектора, соединяющего узлы кристаллической решётки, на оси x, y и z элементарного куба представляют собой числа x 0, у 0 и z 0. Эти проекции удобно измерять в единицах длины ребра куба а. Тогда найдется такое число r, что отношения х 0 /r, у 0 /r и z 0 /r составят ряд наименьших целых чисел, пропорциональных этим проекциям. Индексы Миллера для направлений: [u, v, w] = [х 0 /r, у 0 /r, z 0 /r]
Ось +x соответствует направлению [1,0,0]; ось -х соответствует [-1, 0, 0]; ось +у соответствует [ 0, 1, 0] и т.д. Диагональ грани xy [ 1, 1, 0]; диагональ грани xz [ 1, 0, 1]. Эквивалентные направления объединяются в группы х 0 = 3 a Пусть х 0 = 3 a у 0 = - 5 a z 0 = 2,5 a r = 0,5 a Их значения могут быть приведены к целым числам при r = 0,5 a u = 3 / 0,5 = 6 v = - 5 / 0,5 = -10 w = 2,5 / 0,5 = 5 Тогда u = 3 / 0,5 = 6 v = - 5 / 0,5 = -10 w = 2,5 / 0,5 = 5 [ 6, -10, 5 ] и будут индексами Миллера для направления [ 6, -10, 5 ] Группа включает в себя [ 1, 1, 1], [-1,-1,-1], [-1, 1, 1], [ 1,-1, 1], [ 1, 1,-1], [ 1,-1,-1], [-1,-1, 1], [-1, 1,-1].
Примеры обозначений плоскостей (a) и направлений (b)
ОБОЗНАЧЕНИЕ ПЛОСКОСТЕЙ В КРИСТАЛЛЕ Набор параллельных атомных плоскостей можно охарактеризовать также с помощь трех чисел – индексов Миллера для плоскости. Эти числа связаны с длиной отрезков, отсекаемых плоскостью на осях координат. Векторный метод (применительно к кубической решетке) х 1 у 1 z 1 h = s/х 1 k = s/y 1 l = s/z 1. Пусть одна из плоскостей данной серии проходит через начало координат. Допустим, что соседняя параллельная ей плоскость отсекает на осях отрезки х 1, у 1 и z 1, измеренные в единицах длины ребра куба. Наименьшие целые числа h = s/х 1, k = s/y 1 и l = s/z 1 - называются индексами Миллера для плоскости ; они записываются в круглых скобках. ( h, k, l ) = ( s/х 1, s/y 1, s/z 1 )
Остальные правила для плоскостей аналогичны правилам для индексов направлений. Эквивалентные по характеру симметрии плоскости также образуют группы. Пусть х 1 = 0,5 a, у 1 = 1,25 a z 1 = 1,5 a z 1 = 1,5 a. s = 7,5 a Их обратные значения могут быть приведены к целым числам при s = 7,5 a h = 7,5 / 0,5 = 15; k = 7,5 / 1,25 = 6; l = 7,5 / 1,5 = 5 Тогда h = 7,5 / 0,5 = 15; k = 7,5 / 1,25 = 6; l = 7,5 / 1,5 = 5 (15, 6, 5). и будут индексами Миллера для плоскости (15, 6, 5). Группа { 1, 1, 1} включает в себя ( 1, 1, 1), (-1,-1,-1), (-1, 1, 1), ( 1,-1, 1), ( 1, 1,-1), ( 1,-1,-1), (-1,-1, 1), (-1, 1,-1).
Классификация решеток Элементарная ячейка кристалла строится на трёх некомпланарных основных векторах. В зависимости от соотношения между длинами a, b и c этих векторов (трансляций) и углами между ними, и выделяют шесть различных сингоний, которые распадаются на три категории в зависимости от числа равных длин векторов:некомпланарныхсингоний Низшая категория (все трансляции не равны друг другу) Триклинная Моноклинная Ромбическая Средняя категория (две трансляции равны между собой) Тетрагональная Гексагональная Высшая категория (все трансляции равны между собой) Кубическая
Решётки Браве Кристалло- графическая система Число ячеек в системе Символ ячейки Характеристики элементарной ячейки Триклинная1P Моноклинная2P, C Ромбическая4P, C, I, F Тетрагональная2P, I Кубическая3P, I, F Тригональная1R Гексагональная1P
Триклинная Триклинная (параллелепипед)параллелепипед Моноклинная Моноклинная (правильная призма с параллелограммом в основании)призма параллелограммом простая (P)базо-центрированная (C)
Ромбическая Ромбическая (ромбоэдр)ромбоэдр Простая (P) Базо-центрированная (C) Объёмно-центрированная (I) Гране-центрированная (F)
ТетрагональнаяТетрагональная (прямой параллелепипед)параллелепипед Простая (P)Объёмно-центрированная (I)
Тригональная Тригональная (ромбоэдрическая) (равносторонний ромбоэдр)ромбоэдр Гексагональная Гексагональная (призма с основаниемпризма правильного центрированного шестиугольникашестиугольника) Простая (P)
Кубическая Кубическая (правильный куб)куб Простая (P) Объёмно-центрированная (I) Гране-центрированная (F)
МЕЖАТОМНЫЕ СВЯЗИ Эти два факта дают основание считать, что: электронное строение свободных атомов (прежде всего, строение их валентных оболочек) определяет химическую связь, характер ближнего порядка и электронные свойства твердых тел. Химические связи в твердых телах образуются в результате взаимодействия атомов (ионов). Наиболее существенным результатом этого взаимодействия является расщепление энергетических уровней валентных электронов свободных атомов и образование энергетических зон. Взаимодействие электронов данного атома и соседних атомов не разрушает полностью исходную структуру электронных уровней отдельных атомов.
МЕЖАТОМНЫЕ СВЯЗИ
Зависимость радиальной части волновой функции R(r) и распределения электронной плотности 4πR 2 r 2 от r/a 0
Угловая часть волновой функции. Орбитали s, p и d-типа The Orbitron: a gallery of atomic orbitals and molecular orbitals
Проникновение 3s орбитали в неоновый остов атома Na
Ковалентная (гомеополярная) связь Химическая связь между атомами, осуществляемая обобществленными электронами, называется ковалентной. Эта связь обусловлена силами квантовомеханического происхождения обменным взаимодействием.
Ковалентная (гомеополярная) связь
Образование молекулярных орбиталей Orbitron
sp 3 - гибридизация
sp 3 –гибридизация
Углерод
Ионная связь Ионные кристаллы, в которых ионный тип связи является преобладающим, состоят из положительных и отрицательных ионов. Эти ионы образуют кристаллическую решетку за счет электростатического взаимодействия между ионами противоположного знака.
Ионная связь Электронные оболочки ионов в простом ионном кристалле похожи на электронные оболочки, характерные для атомов инертных газов, так как атомы, из которых образуется ионный кристалл, достраивают свою внешнюю валентную оболочку до полностью заполненной, присоединяя недостающие электроны (анионы) или отдавая их (катионы). Такой переход электронов оказывается энергетически выгодным (приводит к уменьшению полной энергии системы).