УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА МИКРОСХЕМЕ НА МИКРОСХЕМЕ К174УН7. - презентация

1 УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА МИКРОСХЕМЕ НА МИКРОСХЕМЕ К174УН7

2 ЦЕЛИ РАБОТЫ Собрать усилитель на микросхеме К174УН7 Провести исследование УХЧ Добиться максимально громкого воспроизведения звука

3 О МИКРОСХЕМЕ Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа Масса не более 2,0

4 КОРПУС ИМС 1 - питание +U и.п. ; 4 - цепь обратной связи для регулировки К у.u ; 5 - коррекция; 6 - обратная связь; 7 - фильтр; 8 - вход; 9 - общий - U и.п эмиттер выходного транзистора; 12 - выход;

5 ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ

6 ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА ИМС К174УН7

7 ТИПОВАЯ СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ ИМС К174УН4

8 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Номинальное напряжение питания 15 В ± 10% 2 Выходное напряжение при U п = 15 В, f вх = 1 к Гц 2,6…5,5 В 3 Максимальное входное напряжение при U п = 15 В, U вых = 3,16 В, f вх = 1 к Гц, Р вых = 2,5 Вт 30…70 мВ 4 Ток потребления при U п = 15 В 5…20 мА 5 Выходная мощность при R н = 4 Ома 4,5 Вт 6 Коэффициент гармоник при U п = 15 В, f вх = 1 к Гц: U вых = 4,25 В, Р вых = 4,5 Вт U вых = 0,45 В, Р вых = 0,05 Вт U вых = 3,16 В, Р вых = 2,5 Вт > 10 % > 2 % > 2 % 7 Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55 ° С 45 8 Входное сопротивление при U п = 9 В, f вх = 1 к Гц 30 к Ом 9 Диапазон рабочих частот 40… Гц 10 Коэффициент полезного действия при P вых = 4,5 Вт 50 %

9 ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ 1 Напряжение питания 13,5…16,5 В 2 Амплитуда входного напряжения > 2,0В 3 Постоянное напряжение: на выводе 7 на выводе 8 > 15 В 0,3…2,0 В 4 Сопротивление нагрузки 4 Ом 5 Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда 20 ° С/Вт 100 ° С/Вт 6 Температура окружающей среды -10…+55 ° С 7 Температура кристалла + 85 ° С

10 ОБЩИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60 ° С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле Р=(150-Т корп )/20, Вт (с теплоотводом), где Т корп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы. Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.

11