Лекция 12. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ. Вторичная электрон-электронная эмиссия. Отражение электронов от твердого тела. Характеристические потери. - презентация

1 Лекция 12. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ. Вторичная электрон-электронная эмиссиииия. Отражение электронов от твердого тела. Характеристические потери энергии. Закономерности истинной вторичной электронной эмиссиииии. Приведенная кривая. Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Эмиссия электронов с поверхности твердого тела, бомбардируемой потоком электронов, называется вторичной электрон-электронной эмиссиииией. Вторичная электрон-электронная эмиссиииия была обнаружена Остином и Штарке в 1902 г. Наиболее распространенная схема экспериментального исследования энергетического распределения вторичных электронов методом задерживающего поля с использованием сферического коллектора Лукирского и Прелижаева показана на рис Задерживающее поле прикладывается между мишенью и коллектором. Если потенциал коллектора будет больше, чем на мишени, то на коллектор придет полный ток вторичной электронной эмиссиииии Iee. Вторичная электронная эмиссиииия характеризуется количеством вторичных электронов на одну первичную частицу: e = Nee/Np. A A e e A K K Схема опыта по исследованию вторичной электрон-электронной эмиссиииии

2 Коэффициенты вторичной электрон-электронной эмиссииии. Интегрально это количество равно отношению токов вторичных и первичных электронов Iee/Ip. Распространенным методом определения скоростей вторичных электронов является использование магнитного энергоанализатора с полукруговой траекторией радиуса то есть через щель пройдут электроны, скорость которых равна. A K A Ф (цилиндр Фарадея) e 0 50 Пик упругоотраженных электронов Неупругоотраженные электроны Характеристические потери Неупругоотраженных электронов Распределение вторичных электронов по энергиям Полученное экспериментальное энергетическое распределение независимо от материала и энергии первичных электронов содержит два высоких максимума. Первый в области малых энергий (< 50 эВ) соответствует истинным вторичным электронам, которые выходят из твердого тела за счет поглощения энергии первичных электронов. Далеко не все электроны, получившие дополнительную энергию, добираются до поверхности, растрачивая энергию по пути на взаимодействие с ионами решетки и другими электронами.

3 Коэффициенты вторичной электрон-электронной эмиссииии. Преодолевшие потенциальный барьер истинные вторичные электроны на выходе имеют энергии, не зависящие от энергии первичных электронов. Работа выхода материала также не оказывает существенного влияния на эмиссиииию вторичных электронов, так как, во-первых, энергия первичных электронов, как правило, гораздо больше работы выхода, во-вторых, эмиссиииия происходит не из поверхностных слоев, а из глубины металла, поэтому более важным является потеря энергии при движении электрона к поверхности. Второй, гораздо более узкий максимум находится в области высоких энергий и соответствует упруго отраженным первичным электронам, практически полностью сохранившим свою скорость после отражения. Положение этого максимума соответствует энергии первичных электронов. Область энергий между этими двумя максимумами соответствует не упруго отраженным вторичным электронам. Таким образом, энергетический спектр вторичных электронов состоит из широкого пика в области низких энергий, который принадлежит истинно-вторичным электронам, выходящим с глубины А от поверхности, и очень узкого пика отраженных от поверхности электронов в области высоких энергий с максимумом при энергии, равной энергии первичных электронов.

4 Качественная теория электронной эмиссиииии металлов. Будем считать, что при движении внутри кристалла первичные электроны расходуют свою энергию главным образом на возбуждение и ионизацию атомов. Сечениявозбуждения и ионизации электронным ударом свободного атома нелинейный, имеют максимум для некоторой энергии и спад при больших энергиях, обусловленный тем, что с увеличением энергии уменьшается время взаимо­действия (рис.). Энергия первичных электронов, вы­зы­вающих вторичную электронную эмиссиииию, много больше энергии ионизации, поэтому можно считать, что потери энергии первичных электронов обратно пропорциональны энергии: Число вторичных электронов на глубине x пропорционально потерям энергии Зависимость сечения взаимодействия от энергии. x e Траектория первичного электрона в толще материала

5 Качественная теория электронной эмиссиииии металлов. Возникшие на глубине x вторичные электроны для выхода из металла должны добраться до поверхности, взаимодействуя (сталкиваясь) со свободными электронами и ионами решетки кристалла. Количество вторичных электронов уменьшается с пройденным расстоянием эквипотенциально:. Таким образом, количество электронов, дошедших до поверхности с глубины x, эквипотенциально уменьшается, тогда коэффициент истинно вторичной электронной эмиссиииии можно определить как количество вторичных электронов на 1 первичный: Максимальное значение при находим из условия из условия Приведенные кривые [кВ].Зависимость глубины проникновения электронов от их энергии EmEm [эВ] Экспериментальная зависимость коэффициента истинной вторичной эмиссиииии

6 Коэффициент вторичной электрон-электронной эмиссииии. Наличие максимума на энергетической зависимости коэффициента вторичной эмиссиииии объясняется тем, что глубина, на которую проникают первичные электроны, увеличивается с ростом их энергии Далеко не все электроны, получившие дополнительную энергию, добираются до поверхности, растрачивая энергию по пути на взаимодействие с ионами решетки и другими электронами. С большой глубины вторичным электронам существенно труднее добраться до поверхности, поэтому коэффициент вторичной эмиссиииии уменьшается. Для различных материалов можно экспериментально определить. Оказалось, что для любых материалов зависимость коэффициента истинной вторичной электронной эмиссиииии от энергии первичных электронов можно описать одной эмпирической формулой: Энергетическое распределение истинно-вторичных электронов

7 Качественная теория электронной эмиссиииии металлов Экспериментально обнаружена зависимость максимального значения коэффициента истинной вторичной электрон-электронной эмиссиииии от работы выхода. Эта зависимость пока не нашла теоретического объяснения, но зависимость только от работы выхода об отсутствии влияния поверхности. Соответственно с ростом атомного номера Z и работа выхода электрона из металла и возрастают. Преодолевшие потенциальный барьер истинные вторичные электроны на выходе имеют энергии, не зависящие от энергии первичных электронов. Работа выхода материала также не оказывает существенного влияния на эмиссиииию вторичных электронов, так как, во-первых, энергия первичных электронов, как правило, гораздо больше работы выхода, во-вторых, эмиссиииия происходит не из поверхностных слоев, а из глубины металла, поэтому более важным является потеря энергии при движении электрона к поверхности. Использование в эксперименте энергоанализатора высокой разрешающей способности позволяет выявить ряд максимумов в энергетическом распределении истинно-вторичных электронов. Положение максимумов так же не зависит от энергии электронов и является характеристикой материала мишени. Положение основного максимума зависит от Z (атомного номера), при, т.к. вторичным электронам сложнее выйти из глубины, и основной вклад дают электроны, получившие энергию вблизи поверхности. Эмпирическая зависимость, где - угол падения первичного электрона с нормалью, описывается косинусоидальным законом Степень для углов

8 Оже-электроны. Первичный электрон, попадая в глубь металла, передает электрону заполненной зоны С энергию, достаточную для перехода последнего в зону проводимости. В заполненной зоне С возникает вакансия, которая заполняется электроном из верхней заполненной зоны В. При этом выделяется энергия, которая передается какому либо электрону из зона проводимости. Этот электрон выходит из металла в вакуум как истинно-вторичный с энергией. Образовавшиеся Верхняя заполненная зона Заполненная зона Схема оже-процесса е А е е Зона проводимости е оже-электроны создают ряд максимумов в энергетическом распределении истинно-вторичных электронов (рис.12.9), положение которых соответствуют расстоянию между зонами и не зависит от энергии первичных, то есть, является характеристикой материала мишени. На этом основана возможность анализа состава поверхностного слоя металлов и чистоту поверхности (оже- спектрометрия).

9 Упругоотраженные электроны. Зависимость коэффициента отражения от атомного номера материала мишени представлена на рисунке. Коэффициент упруго отраженных вторичных электронов определяется процессами отражения электрона как электромагнитной волны за счет рассеяния на отдельных атомах кристалла, дифракции и интерференции. В отличие от классической дифракции, разрешающей интерференцию рассеянных волн при выполнении условия Брэгга-Вульфа:, где - межатомное рассеяние, - угол падения, -длина волны де-Бройля отражение происходит для любых и, т.к. из-за взаимодействия электрона с фононами, электронами проводимости, дефектами и т.д. когерентность нарушается. Эмпирическая зависимость коэффициента отражения ee для нормального падения электронов от атомного номера материала мишени и от энергии первичных. электронов и имеет вид: где m(z)=0.1382–0.9211z-0.5, C(z)=0.1904– lnz ln2z– ln3z. Зависимость e от угла падения : Z Зависимость коэффициента отражения от атомного номера материала мишени Mo C 510 W [кэВ]

10 Неупругоотраженные электроны. Неупруго отраженные электроны имеют непрерывный спектр от 50 эВ до энергий, соответствующих упруго отраженным Это объясняется тем, что их энергия зависит от потерь при выходе из металла. Эти потери носят вероятностный характер. Но на сплошном энергетическом спектре неупругое отраженных электронов вблизи пика упруго отраженных существуют несколько пиков так называемых характеристических Есть несколько теорий, объясняющих характеристический максимум (характеристические потери). Одна связывает их с Оже процессом, другая – с возбуждением первичными электронами плазменных колебаний и взаимодействием их с плазменными колебаниями. Электроны в металле и ионы в узлах кристаллической решетки образуют коллективную среду, которую можно назвать плазменной. В этой плазме, так же, как и в плазме газового разряда, возможно возбуждение плазменных колебаний.