Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 10 8 В/см, в. - презентация

1 Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 10 8 В/см, в – форма барьера (S) в то же электрическом поле, но с учетом сил зеркального отображения. Вероятность выхода прохождения электронов из поверхности Р равна: Полевая электронно-эмиссионная микроскопия -ПЭЭМ

2 Умножение Р на число электронов, приходящихся на единицу поверхности в единицу времени дает плотность тока полевой эмиссии J. Строгое выражение для J было получено Фаулером и Нордгеймом. В сжатом виде уравнение Фаулера и Нордгейма можно переписать в виде где a, b и c - постоянные, I - ток эмиссии, V – приложенный к металлу потенциал. Очевидно, график ln(I/V 2 ) должен быть линеен, и его наклон пропорционален φ 3/2.

3 Упрощенная схема полевого электронно-эмиссионного микроскопа (ПЭЭМ): 1 – охлаждаемая жидким азотом заостренная металлическая игла, 2 – полупрозрачный люминесцентный экран, 3 - корпус вакуумной емкости, 4 – прозрачное окно для наблюдения и регистрации свечения. Поле на поверхности заостренной иглы определяется выражением F=V/rk, где k - постоянная, равная ~ 5. При напряжении 10 4 В, приложенным между катодом и анодом, возникает полевая эмиссия, так как поле на такой заостренной игле составляет 10 9 ÷10 10 В/см. Объект с линейными размерами σ на поверхности иглы увеличивается в x/r раз и возникает на экране с размером D ( a и b – траектории движения электронов). Предел разрешения 2 нм.

4 Полученное в полевом электронно-эмиссионном микроскопе изображение поликристаллического вольфрамового острия (увеличенное 10 5 ). ПЭЭМ изображение представляет собой карту проекции работы выхода электронов из кристаллографических плоскостей: проекцию плоскости {110}, расположенную в центре, и проекции четырех плоскостей {112}, расположенных симметрично вокруг нее. Плоскости {110} и {112} характеризуются более высокими значениями работы выхода, чем окружающие их плоскости, поэтому они проявляются в виде темных пятен на более ярком фоне, которые характеризуются более высокими значениями φ, чем окружающие их плоскости. Изображение в ПЭЭМ чистой поверхности W

5 Изображения «отдельных» молекул, адсорбированных на кончике вольфрамовой иглы, полученные с помощью ПЭЭМ: а - медь- фталоцианин (его структурная формула - C 32 H 16 Cu - внизу рисунка); б - флавантрен (его структурная формула C 18 H 12 N 2 O 2 - внизу рисунка).

6 Схематическое изображение эмиссии электронов из молекулярных структур, адсорбированных на поверхности вольфрамового эмиттера, объясняющее образование изображений от «отдельных» молекул.

7 Потенциальная энергия атома гелия: а – изолированный атом, б – изолированный атом внешнем электрическом поле, в – изолированный атом вблизи положительно заряженной металлической поверхности (4 Å – оптимальное расстояние для автоионизации Не). Полевая ионная микроскопия

8 Схема перемещения и ионизации атома гелия вблизи поверхности положительно заряженной вольфрамовой иглы. 1- выступающие на краях кристаллографических плоскостей атомы, вблизи которых электрическое поле максимально.

9 Сравнение смоделированных (а) и (б) ПИМ изображений кончика иглы W с экспериментальным ПИМ изображением кончика W иглы (в), из которого ясно почему видимые в ПИМ отдельные атомы W расположены как бы в виде колец.

10 ПИМ изображение с атомарным разрешением одного и того же участка кончика иглы из сплава Ni 7 Zr 2 : а –до воздействия импульса электрического поля, б - после воздействия импульса напряжения (стрелкой указано место, которое покинул атом под действием электрического поля). Этот эффект используется в ПИМ с атомным зондом. Полевое испарение атома в ПИМ

11