ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ « ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ. - презентация

1 ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ « ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ »

2 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПРОГРАММЕ Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем Категория обучаемых: инженеры- конструкторы всех категорий, инженеры-технологи всех категорий Форма обучения: с отрывом от работы Срок обучения: 72 академических часа

3 УЧЕБНЫЙ ПЛАН п/п Наименование модуля Всего часов В том числе Лекции Практические (Лабораторные) Занятия 1 Модуль 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем (ПМ-1) (16) 2 Модуль 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках (ПМ-2) (4) ИТОГО (20) Итоговая аттестация по программе 4 ВСЕГО ЧАСОВ ПО ПРОГРАММЕ76

4 СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях» ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Классификация полупроводников. Кристаллическая структура и дефекты. Зонная структура полупроводников. Электронные состояния кристаллов. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Оже рекомбинация. Физика полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором. Общая характеристика и основные операции технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Сравнительный анализ методов формирования легированных областей полупроводниковых структур. Современные виды технологического оборудования в кристальном производстве. Сборка полупроводниковых приборов и ИМС. Основные технологические процессы сборки. Технологические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов на широкозонных полупроводниках.

5 СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях» ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Программа создания моделей полупроводниковых приборов Seditor. Программа физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов Sdevice. Общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN. Сравнение, новые возможности. Технология SiC. Особенности конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных SiC диодов и транзисторов Технология GaAs. Особенности технологии и конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных GaAs диодов и транзисторов

6 СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС.

7 СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико- топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice. Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия.

8 ИНФРАСТРУКТУРА Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Структура и состав Synopsys TCAD Пакет программ для моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD Установка нестационарной спектроскопии глубоких уровней DLS-83D

9 ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В производственно-технологической деятельности: ПК1.1.1 Готовность внедрять результаты разработок в производство

10 ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В проектно-конструкторской деятельности: ПК Способность проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов ПК Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования ПК Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

11 ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В научно-исследовательской деятельности: Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно- техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники ПК Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения ПК Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

12 СТАЖИРОВКА В РОССИИ Новые полупроводниковые приборы на основе широкозонных проводников Цель стажировки – Повышение квалификации в области разработки и производства приборов на основе широкозонных полупроводников Задачи стажировки – Углубленное изучение и освоение технологии разработки новых приборов на широкозонных полупроводниках Образовательные результаты – Опыт конструкторско-технологических решений в выполнении расчетов и проектирования приборов на основе широкозонных полупроводников Принимающая организация – ОАО «Ангстрем», г. Москва Сайт принимающей организации –

13 СТАЖИРОВКА ЗА РУБЕЖОМ Современные силовые полупроводниковые приборы и энергоэффективные приборы на основе широкозонных полупроводников Цель стажировки – Повышение квалификации в области использования современных технологий конструирования и производства энергоэффективных полупроводниковых приборов Задачи стажировки - Ознакомиться с инновационным опытом конструирования и производства энергоэффективных полупроводниковых приборов Образовательные результаты - Опыт конструирования энергоэффективных полупроводниковых приборов Принимающая организация - «Infineon Technologies AG», Германия, г. Мюнхен Сайт принимающей организации -

14 СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!