Лекция 2 Силовые диоды Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих. - презентация

1 Лекция 2 Силовые диоды Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей. В области n-типа преобладают электроны, которые являются основными носителями электрических зарядов, в p-области таковыми являются положительные заряды (дырки). Граница между двумя областями с различными типами проводимости называется p – n - переходом

2 Рис.2.1 Электронно-дырочный переход: а - структура; б, в – диаграммы напряжения и потенциала в области пространственного заряда

3 Статические характеристики диода

4

5 Рис.2.2.Подключение диода к внешней цепи а – условное обозначение диода; б – подключение к источнику напряжения обратной полярности; в - подключение к источнику напряжения прямой полярности

6

7

8 Рис.2.3.Статические ВАХ диода: а – реальная; б - аппроксимированная

9

10 Динамические характеристики диода

11

12 Рис.2.4.Диаграммы тока и напряжения диода при включении

13 Выключение диода

14

15 Рис.2.5.Диаграммы тока и напряжения диода при выключении

16 Защита силовых диодов

17 Рис.2.6.Динамические процессы при выключении диода

18

19

20 Основные типы силовых диодов

21 Рис.2.7.Конструкции диодов. а – штыревая; б – таблеточная; в – для поверхностного монтажа

22 Быстровосстанавливающиеся диоды

23

24

25 Используются в высокочастотных и импульсных цепях низкого напряжения. Диоды выполняются в керамических или пластмассовых корпусах с металлическим теплоотводящим основанием