Разработка приборов широкого спектра действия на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe, CdZnTe для радиационного и ядерного технологического контроля. - презентация

1 Разработка приборов широкого спектра действия на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe, CdZnTe для радиационного и ядерного технологического контроля в системах АЭС АО «Парк ядерных технологий» Национальный Научный Центр «Харьковский Физико-технический институт» Астана, 2010 KazAtomExpo

2 2 Детекторы ионизирующих излучений На сегодняшний день для измерения и регистрации радиоактивного излучения на АЭС во всем мире применяют три типа детекторов – газовые, сцинтилляционные и полупроводниковые. KazAtomExpo 2010

3 3 Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe Преимущества полупроводниковых детекторов в большой плотности, что позволяет резко снизить объём ППД, в котором происходит ионизация. Меньшая, чем в газах, энергия образования электронно-дырочной пары. Ионизационный эффект в ППД на несколько порядков выше, чем в газовой камере. За счет прямого преобразования энергии ионизирующего излучения в электрический сигнал у ППД примерно десятикратное преимущество по чувствительности перед системами с двухступенчатым преобразованием энергии (сцинтиллятор-фотодиод). Главное достоинство ППД - высокая чувствительность при малых размерах. Одним из типов полупроводниковых сенсоров является CdTe и CdZnTe, работающие без охлаждения. KazAtomExpo 2010

4 4 Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe В Харьковском физико-техническом институте разработали собственную технологию создания полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe. KazAtomExpo 2010

5 5 Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe Вольт-амперные характеристики CdZnTe сенсора при различных температурах Учеными из Харьковского института были изучены основные характеристики и зависимости кристаллов из CdTe и CdZnTe. Также исследована радиационная стойкости и определен радиационный ресурс сенсоров в радиоактивном поле. KazAtomExpo 2010 Зависимость электросопротивления CdZnTe сенсора от температуры

6 6 Блоки детектирования на основе кристаллов из CdTe и CdZnTe Полученные кристаллы из CdTe и CdZnTe могут применяться в блоках детектирования гамма-излучения на АЭС для измерения и регистрации в различных зонах радиоактивной опасности. KazAtomExpo 2010 Блоки детектирования для контроля мощности дозы гамма-излучения Сенсор из CdZnTe с предусилителем (опытный образец)

7 7 KazAtomExpo 2010 Макеты устройств детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe

8 8 В настоящее время АО «Парк ядерных технологий» совместно с Харьковским институтом и ООО «Позитрон GmbH» проводит работы по созданию производства приборов на основе полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe. KazAtomExpo 2010 АО «Парк ядерных технологий» (г.Курчатов, Казахстан) ООО «Позитрон GmbH» (г.Желтые Воды, Украина) ННЦ «Харьковский физико- технический институт» (г.Харьков, Украина)

9 9 Производство приборов на основе детекторов из CdTe и CdZnTe На сегодняшний момент проводится работа по адаптации систем ООО «Позитрон» под детекторы Харьковского института. Производство новых систем будет создано на производственных площадях технопарка «Парк ядерных технологий» в г.Курчатов. KazAtomExpo 2010

10 10 KazAtomExpo 2010 : Контактная информация : Управляющая компания АО «Парк ядерных технологий» Республика Казахстан , ВКО, г. Курчатов, ул. Курчатова, 18/1 Тел.: +7 (722-51) Факс: +7 (722-51) СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!