Выполнили студентки III курса ФТФ гр.21306 Митина А.А. и Москалева В.О. ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. - презентация

1 Выполнили студентки III курса ФТФ гр Митина А.А. и Москалева В.О. ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов

2 Содержание ГОСТы Классификация полупроводниковых приборов:Классификация полупроводниковых приборов: Российская Зарубежная: Европейская система Pro ElectronЕвропейская система Pro Electron Американская система JEDECАмериканская система JEDEC Японская система JISЯпонская система JIS Графические обозначения полупроводниковых приборовГрафические обозначения полупроводниковых приборов

3 Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справоч­ных параметров полупроводниковых приборов приведены в следующих ГОСТах: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТом «Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые». ГОСТы

4 Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения основных электрических параметров и предельные эксплуатационные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким параметрам относятся: напряжение (например, U постоянное прямое напряжение диода) ток (например, I ст mах максимально допустимый ток в стабилизации стабилитрона) мощность (например, Р вых выходная мощность биполярного транзистора) сопротивление (например, r диф дифференциальное сопротивление диода) емкость (например, С к емкость коллекторного перехода) время и частота (например, t вос. обр время обратного восстановления тиристора, диода) температура (например, Т mах максимальная температура окружающей среды).

5 Российская классификация Г Г Т 6 05 А Т605 А Германиевый транзистор Средней мощности, высокой и сверхвысокой частот номер разработки 05 Группа А

6 Исходный материал Германий или его соединения Кремний или его соединения Соединения галлия Соединения индия Г или 1 К или 2 А или 3 И или 4 Первый элемент Условные обозначения

7 Второй элемент Подкласс (группа) приборов Выпрямительные импульсные диоды, магнитодиоды, термодиоды Транзисторы биполярные Транзисторы полевые Варикапы Стабилизаторы тока Сверхвысокочастотные диоды Туннельные диоды Диоды Ганна Д Т П В К А Условные обозначения И Б

8 Третий элемент Назначение прибора Условные обозначения Транзисторы биполярные: Маломощные (Рх < 03 Вт): Низкой частоты (Fгр < 3 МГц) Средней частоты (Fгр =3..20 МГц) Высокой и сверхвысокой частот Средней мощности (Рх = 03..1,5 Вт): Низкой частоты Средней частоты Высокой и сверхвысокой частот Большой мощности (Рх > 1,5 Вт): Низкой частоты Средней частоты Высокой и сверхвысокой частот

9 Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999. Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготов­ленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами. Четвёртый и пятый элементы

10 Первый элемент Буква-код материала: A - германий B - кремний С - арсенид галлия D - антимонид индия R - другие материалы Европейская система Pro Electron В Т Х Второй элемент Буква - тип прибора приборы общего применения Z...A приборы для промышленного и специального применения Третий элемент Серийный номер: Четвертый элемент 2 цифры -порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99.

11 Европейская система Pro Electron A - детекторный, смесительный диод В - варикап С - маломощный низкочастотный транзистор D - мощный низкочастотный транзистор Е - туннельный диод F - маломощный высокочастотный транзистор G - несколько приборов в одном корпусе Н - магнитодиод K - генераторы Холла L - мощный высокочастотный транзистор М - модуляторы и умножители Холла Р - фотодиод, фототранзистор Q - излучающие приборы R - прибор, работающий в области пробоя S - маломощный переключающий транзистор T - мощный регулирующий или переключающий прибор U - мощный переключающий транзистор Х - умножительный диод Y - мощный выпрямительный диод Z - стабилитрон Второй элемент

12 Первый элемент Число p-n переходов: 1 - диод 2 - транзистор 3 - тиристор 4 - оптопара Второй элемент Буква N Третий элемент Серийный номер прибора ( ) Четвертый элемент Буква модификации прибора 2 N 2222 A Американская система Jedec

13 2 S B 247 Первый элемент Цифра: 0 - фотодиод 1 - диод 2 - транзистор 3 - тиристор Второй элемент Буква S Третий элемент Буква - тип прибора Четвертый элемент Серийный номер: Японская система JIS

14 Третий элемент А - высокочастотный PNP транзистор B - низкочастотный PNP транзистор С - высокочастотный NPN транзистор D - низкочастотный NPN транзистор Е - диод Есаки (четырехслойный диод PNPN) F - тиристор G - диод Ганна (четырехслойный диод NPNP) Н - однопереходной транзистор J - полевой транзистор с N-каналом К - полевой транзистор с P- каналом М - симметричный тиристор (семистор) Q - светоизлучающий диод R - выпрямительный диод S - малосигнальный диод Т - лавинный диод V - варикап Z -стабилитрон

15 Графические обозначения Диод выпрямительный Диод туннельный Диод обращения Варикап Односторонний стабилитрон Двусторонний стабилитрон

16 Графические обозначения Диодный тиристор (динистор) Триодный тиристор незапираемый с управлением по катоду Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по аноду Симметричный динистор Симметричный тиристор Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый,с управлением по катоду

17 Графические обозначения Транзистор типа p-n-p Транзистор двухэмиттерный типа p-n-p Транзистор типа n-p-n Лавинный транзистор типа n-p-n Однопереходный транзистор с n-базой

18 Графические обозначения Полевой транзистор с каналом n-типа Полевой транзистор с каналом p-типа Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с p-каналом Полевой транзистор с изолированным затвором обеднённого типа с n-каналом Полевой транзистор с изолированным затвором обеднённого типа с p-каналом

19 Графические обозначения

20 20 Спасибо за внимание!