Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты. - презентация

1

2

3 Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.

4 Структура зоны проводимости арсенида галлия

5 N-образная вольт-амперная характеристика

6

7

8

9 Генерация СВЧ колебаний в диодах Ганна

10 Образование доменов сильного поля

11 Ток во внешней цепи

12 Режимы работы диодов Ганна

13 Режимы работы ДГ

14 Доменный режим

15 Пролетный режим

16 Режим с задержкой

17 Режим с гашением

18 Мощность генерируемых СВЧ - колебаний зависит от полного сопротивления z площади рабочей части высокоомного слоя полупроводника.

19 Примеры зависимости диодов Ганна а) типичная зависимость генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного напряжения; б) зависимость генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного напряжения и температуры

20 Электрические параметры КПД зависит от частоты f, ГГцКПД

21 Выходная мощность P вых f = A Где А- допустимый перегрев структуры Типовые мощности: *1 – 2Вт при КПД до 14%; *f60-100Гц-до 100мВт

22 Недостатки диодов Ганна Низкий КПД Малый срок службы

23 Эквивалентная схема диода Ганна

24 ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДГ К ИСТОЧНИКУ ПИТАНИЯ

25