Презентация по предмету: «Микрооптоэлектроника» Выполнили студенты гр. 21306 Никульшин Вячеслав Ильина Виктория ПетрГУ 2012. - презентация

1 Презентация по предмету: «Микрооптоэлектроника» Выполнили студенты гр Никульшин Вячеслав Ильина Виктория ПетрГУ 2012

2

3 Тиристор представляет собой четырехслойный р1-n1-р2-n2 прибор, содержащий три последовательно соединенных р-n перехода (П1, П2 и П3).

4

5

6

7

8 в состоянии закрыто

9 в состоянии открыто

10 Для реализации тиристорного эффекта в 4-х слойных p-n- p-n – структурах необходимо введение рекомбинационных центров в эмиттерные переходы тиристора.

11 М - коэффициент ударной ионизации, определяемый как количество носителей, рожденных при лавинном умножении одной частицей, UМ - напряжение лавинного пробоя. Умножение в коллекторе может служить причиной накопления объемных зарядов в базах тиристора. С формальной точки зрения, умножение в коллекторе эквивалентно росту коэффициента передачи и величине коллекторного тока.

12 Полупроводниковый прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором. Полупроводниковый прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором.

13

14

15

16 Режим обратного запирания. Режим прямого запирания. Режим прямой проводимости. Режим обратного запирания. Режим прямого запирания. Режим прямой проводимости.

17 Включение динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора. В тринисторе напряжение включения может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом. Конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода. Включение динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора. В тринисторе напряжение включения может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом. Конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода.

18 Семистор- полупроводниковый прибор с симметричной ВАХ, имеющей участок с отрицательным дифференуиальным сопротивлением и реализующий два бистабильных состояния. Семистор- полупроводниковый прибор с симметричной ВАХ, имеющей участок с отрицательным дифференуиальным сопротивлением и реализующий два бистабильных состояния.

19 Диак Триак

20

21 Полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий на ВАХ область с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий на ВАХ область с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

22

23 a) тиристор-диод, b) динистор c) запираемый тиристор; d) семистор a) тиристор-диод, b) динистор c) запираемый тиристор; d) семистор

24 Электронные ключи Управляемые выпрямители Преобразователи (инверторы) Регуляторы мощности (триммеры) CDI Электронные ключи Управляемые выпрямители Преобразователи (инверторы) Регуляторы мощности (триммеры) CDI

25