Скачать презентацию
Идет загрузка презентации. Пожалуйста, подождите
Презентация была опубликована 11 лет назад пользователемЛариса Темлякова
1 sp 3 –гибридизация
2 Углерод
4 Дефекты в кристаллах
5 Классификация по размерам и протяжённости
6 Типы точечных дефектов 1 - вакансия; 2 - межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю; 4 - примесный атом замещения; 5 - примесный атом внедрения; 6 - атом замещения большей валентности
7 Основные механизмы образования точечных дефектов Тепловые колебания атомов Пластическая деформация Облучение Отклонения от стехиометрии
8 Дислокации Дислокации – линейные дефекты кристаллической решётки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования. Различают простые и сложные дислокации. К простым относятся краевые и винтовые
9 Винтовая дислокация
10 Контур и вектор Бюргерса краевой дислокации
11 Двумерные дефекты
12 Объёмные дефекты Включения второй фазы – это частицы макро размеров, состав которых отличается от состава основного вещества. В кристаллах встречаются включения второй фазы двух типов: включения одного из компонентов соединения (например Pb в PbTe) или включения инородной фазы, образующейся при выращивании легированных кристаллов (например, CdTe в кристалле PbTe, легированном кадмием). Тепловые колебания кристаллической решётки… Зональные упругие напряжения – это напряжения, возникающие при макроскопически неоднородном характере поля внешних сил, действующих на кристалл, и уравновешивающиеся в макрообъёмах кристалла. Поры – это объёмные пустоты макро размеров в кристаллической решётке. К появлению пор приводят скопления вакансий. Поры могут образовываться в ходе выращивания кристаллов или при их радиационном облучении.
Еще похожие презентации в нашем архиве:
© 2024 MyShared Inc.
All rights reserved.