РЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ. - презентация

1 РЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ.

2 Ячейка памяти на основе МДП - транзистора

3 Типы МДП - транзисторов для репрограммируемых элементов памяти Пороговое напряжение МДП транзистора Для изменения величины порогового напряжения необходимо: а) Изменить легирование подложки N А б) изменить плотность поверхностнх состояний N ss в) изменить встроенный в диэлектрик заряд Q ox г) изменить напряжение смещения канал-подложка V ss

4 Типы МДП - транзисторов для репрограммируемых элементов памяти

5 МНОП - транзистор

6 МОП ПТ с плавающим затвором

7 Характеристики флэш - памяти

8 Туннельная инжекция Фаулера - Нордгейма.

9 Инжекция горячих электронов из области канала вблизи стока, обусловленная разогревом электронного газа в сильном электрическом поле в этой области

10 Инжекция горячих электронов и дырок при межзонном туннелировании.

11 Режимы записи / стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти Запись за счет ижекции горячих электронов вблизи стока ; стирание за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма в область истока.

12 Режимы записи / стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти Запись за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма из области канала ; Стирание за счет туннелирования в область стока.

13 Режимы записи / стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти Запись и стирание за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма из / в область канала.

14 Источники. В. А. Гуртов « Твердотельная электроника »

15 Спасибо за внимание !