Механизмы электронного транспорта в контактах металл- полупроводник. Подготовил Королёв Сергей. - презентация

1 Механизмы электронного транспорта в контактах металл- полупроводник. Подготовил Королёв Сергей.

2 Где используются контакты металл- полупроводник? Контакты для соединения металлического провода и полупроводника Диоды Вольфрам Кремний Омический контакт ?

3 Дрейфово-диффузионная теория. Исследуемый образец. Cu O2O2 n + -Cu 2 O n-Cu 2 O S-слой I-слой Metal

4 Дрейфово-диффузионная теория. Формирование барьера. +V+V0-V-V0

5 Дрейфово-диффузионная теория. Приближения. – малы Дрейфово-диффузионное приближение 1 Одномерный случай: x 2 3 Соотношение Эйнштейна:

6 Дрейфово-диффузионная теория. Приближения. Выражение для тока. 0d 4

7 Дрейфово-диффузионная теория. Сопротивление. Сравнение с экспериментом.

8 Область применимости дрейфово- диффузионной теории. Дрейфово-диффузионное приближение справедливо, когда Сu-Cu 2 O-n + Cu 2 O: для модели Мотта Metal-GaAs-n + GaAs:

9 Термоэмиссионная теория.

10 Промежуточный итог Параметры реальных диодов

11 Эффект сил изображения. + - сила изображения (фактор неидеальности)

12 Выражение для тока с учётом эффекта сил изображения. – определяются из эксперимента

13 Отражение от границы. Квантовое отражение (f q ); Рассеяние на фононе (f p ). fqfpfqfp

14 Контакт с барьером Шоттки. металл легированный полупроводник

15 Туннелирование через барьер. Максимум распределения по энергиям. надбарьерное прохождение d эффекты туннелирования E 0 1 Thermionic emission

16 Туннелирование через барьер. Выражение для тока. полевая эмиссия термополевая эмиссия термоэмиссия

17 Туннелирование через барьер. Зависимость фактора неидеальности и максимума распределения по энергиям от температуры.

18 Туннелирование через барьер. Дискретность пространственного заряда.

19 Омические контакты.

20 Ещё эффекты. Генерация и рекомбинация носителей в обеднённой области. Инжекция дырок. Переходные эффекты. Эффект граничного слоя. T 0 -эффект. Другие…