УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ФГБОУ ВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники. - презентация

1 УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ФГБОУ ВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

2 Краткое описание УМК Цель обучения: Прошедший подготовку и итоговую аттестацию должен быть готов к профессиональной деятельности по сквозному проектированию компонентной базы микро- и наноэлектроники с применением современных методов и средств САПР TCAD в качестве инженера-технолога, инженера конструктора изделий электронной техники

3 Краткое описание УМК Целевая аудитория: инженер-технолог; инженер-конструктор; Освоение видов профессиональной (трудовой) деятельности: проектно-технологическая; проектно-конструкторская

4 Требования к поступающим Лица, поступающие на обучение, должны иметь диплом о высшем образовании по направлению Электронная техника, радиотехника и связь, а также следующие компетенции для освоения программы повышения квалификации: способность привлекать физико-математический аппарат для решения задач профессиональной деятельности; способность владеть основными методами и средствами получения и переработки информации, работать с компьютером как средством управления информацией; способность осуществлять сбор и анализ исходных данных для расчета и проектирования электронных приборов.

5 Компетенции, которые получит специалист в рамках проектно- технологической профессиональной деятельности: 1. Будет способен обосновано выбирать и применять физико- математические модели и экспериментальные методы при проектировании технологии приборов микро- и наноэлектроники 2. Сможет проводить экспериментальные исследования в области технологического проектирования с применением современных методов и средств САПР TCAD 3. Будет разрабатывать и проводить сквозное моделирование технологии и электрофизических параметров элементов электронной компонентной базы

6 Компетенции, которые получит специалист в рамках проектно- конструкторской профессиональной деятельности: 4. Будет готов обосновано выбирать и применять физико- математические модели и экспериментальные методы при проектировании конструкции приборов микро- и наноэлектроники 5. Будет проводить экспериментальные исследования в области конструкторско- топологического проектирования с применением современных методов и средств САПР TCAD 6. Сможет разрабатывать и проводить сквозное приборно- технологическое моделирование элементов электронной компонентной базы

7 Структура УМК Модуль 1: Физико- математические модели технологических процессов в микро- и наноэлектронике Модуль 2: Основы работы в среде приборно- технологической САПР TCAD технологических процессов в микро- и наноэлектронике Модуль 3. Сквозное моделирование технологии и электрофизических параметров элементов электронной компонентной базы

8 Модуль 1: Физико-математические модели технологических процессов в микро- и наноэлектронике Раздел 1. Физическое и математическое моделирование процессов в микроэлектронике как инструмент оптимизации параметров ИС и фундамент современных систем математического моделирования Раздел 2. Модели термического окисления Раздел 3. Аналитические методы расчета диффузионных профилей на основе уравнений Фика Раздел 4. Физико-математические модели процесса ионной имплантации Раздел 5. Методы расчетов параметров легированных структур

9 Модуль 2: Основы работы в среде приборно-технологической САПР TCAD Раздел 1. Введение в проектирование и технологию элементной базы микроэлектроники и твердотельной электроники Раздел 2. Основы приборно-технологического проектирования в специализированном пакете TCAD Раздел 3. Моделирование технологии элементной база микроэлектроники и твердотельной электроники в специализированном пакете Sentaurus (ISETCAD) Раздел 4. Создание и моделирование приборов микроэлектроники и твердотельной электроники в специализированном пакете Sentaurus (ISE TCAD) Раздел 5. Проектирование элементов и технологических процессов изготовления сверх- и ультрабольших интегральных схем

10 Модуль 3. Сквозное моделирование технологии и электрофизических параметров элементов электронной компонентной базы Раздел 1. Физические и схемотехнические основы проектирования элементной базы твердотельной электроники Раздел 2. Проектирование биполярных структур в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования Раздел 3. Проектирование МОП структур в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования Раздел 4. Проектирование КМОП структур в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования Раздел 5. Проектирование структур с субмикронными размерами в САПР ТCAD приборно-технологического моделирования

11 Стажировка Цели стажировки: Обучение инженеров-технологов и инженеров- конструкторов современным методам и средствам проектирования компонентной базы Формирование практических навыков проектирования конкретных полупроводниковых приборов в разрезе производимой базовым предприятием продукции Изучение опыта внедрения и использования современных средств автоматизированного проектирования на базе ведущих зарубежных инновационных центров и предприятий

12 В России За рубежом «Методы проектирования полупроводниковых приборов и технологии их создания» (на базе Инжинирингового центра Технопарка ВГУ) «Опыт внедрения и использования современных средств автоматизированного проектирования компонентной базы микро- и наноэлектроники в ведущих зарубежных инновационных центрах и предприятиях» (на базе Инновационного парка MINATEC, Гренобль, Франция) Стажировка

13 Контактная информация Название: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Воронежский государственный университет» (ФГБОУ ВПО «ВГУ») Адрес:Университетская пл., 1, Воронеж, Тел./Факс: +7 (473) Сайт: