Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС-2012. Россия, Москва, октябрь 2012 1 Автономные параметры транзисторов. - презентация

1 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Автономные параметры транзисторов базового матричного кристалла АБМК 1.3 в условиях радиационных и температурных воздействий ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО «ЮРГУЭС») Проблемная лаборатория перспективных технологий и процессов Центра исследования проблем безопасности РАН и ЮРГУЭС Н.Н. Прокопенко, А. И. Серебряков, П. С. Будяков

2 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Транзистор как автономный четырёхполюсник Модель транзисторов с учетом внешних дестабилизирующих факторов

3 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Транзистор как автономный четырёхполюсник. Температурное смещение статических характеристик Расчет автономных параметров

4 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Транзистор как автономный четырёхполюсник. Радиационное смещение статических характеристик Расчет автономных параметров

5 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Результаты компьютерного моделирования режимной и радиационной зависимости автономных параметров Радиационная зависимость j h б в широком диапазоне изменения F (10 11 ÷10 16 н/м 2 ) Радиационная зависимость автономного параметра e h б в широком диапазоне изменения потока нейтронов

6 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Аппроксимация аналитическими функциями режимной и радиационной зависимости автономного параметра j h б I Э, мкА a, мкА9, , , ,81672 b, н/м21,20009E151,18871E151,35748E151,50898E15 среднеквадратичная ошибка для «a» 4,95316E-40,006060,032420,14235 cредне квадра тичная ошибка для «b» 2,207E115,35008E111,59901E123,84664E12 Взаимосвязь параметров аппроксимирующей функции j h б и током эмиттера

7 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Аппроксимация аналитическими функциями режимной и радиационной зависимости автономного параметра e h б IЭ, мкА с, мВ81, , , ,77401 d, н/м24,23437E154,678E155,64967E156,93644E15 среднеквадратичная ошибка для «с» 0,424910,16640,632191,21553 средне квадратичная ошибка для «d» 6,13738E132,55877E131,1055E142,39875E14 Взаимосвязь параметров аппроксимирующей функции e h б и током эмиттера

8 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Пример численного расчета автономных параметров e h б и j h б Автономные параметры для температуры Автономные параметры для радиации 98 мВ e б* h 9 мкА j б* h 56 мВ e б h 8 мкА j б h

9 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Архитектуры прецизионного трехкаскадного ОУ

10 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Выводы Разработана математическая модель транзисторов матричного кристалла АБМК_1_3 в условиях радиационных и температурных воздействий, основанная на теории автономного многополюсника Анисимова В.И. Компьютерное моделирование режимной и радиационной зависимости j h б и e h б позволяет при известных значениях статического эмиттерного тока (I э ) и заданном потоке нейтронов (F) определить величину смещения входной (e h б ) и выходной (j h б ) характеристик транзистора АБМК_1_3. Приведены аппроксимации аналитическими выражениями режимной и радиационной зависимости автономных параметров j h б и e h б. Рассмотренные модели транзисторов положены в основу синтеза прецизионных дифференциальных каскадов, имеющих малые значения U см и его дрейфа в условиях температурных и радиационных воздействий.

11 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса ЮРГУЭС Серебряков А.И. МЭС Россия, Москва, октябрь Спасибо за внимание