Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые. - презентация

1 Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ

2 ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые.

3 ГОСТ был утверждён и введён в действие Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от ГОСТ прошёл 5 переизданий с изменениями. Последние переиздание утверждено в мае 2002 года.

4 база с одним выводом база с двумя выводами Р - эмиттер с N-областью N-эмиттер с Р – областью коллектор с базой

5 диод (общее обозначение) диод туннельный стабилитрон односторонний стабилитрон двухсторонний диод теплоэлектрический

6 варикап диод двунаправленный диод Шоттки диод светоизлучающий

7 тиристор диодный, запираемый в обратном направлении тиристор диодный, проводящий в обратном направлении тиристор диодный симметричный тиристор триодный (общее обозначение)

8 тиристор триодный выключаемый (общее обозначение) тиристор триодный симметричный (двунаправленный) тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

9 Примечание: Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

10 транзистор типа p-n-p транзистор типа n-p-n, коллектор соединен с корпусом транзистор лавинный типа n-p-n транзистор однопереходный с n-базой

11 транзистор однопереходный с p-базой транзистор двухбазовый типа n-p-n транзистор многоэмиттерный типа n-p-n

12 Примечание: При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении б) изображать корпус транзистора

13 транзистор полевой с каналом типа n транзистор полевой с каналом типа p транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки обогащенного типа с p-каналом транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки обедненного типа с n-каналом

14 транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом, с внутренним соединением истока и подложки транзистор полевой с затвором Шоттки транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

15 Примечание: Допускается изображать корпус транзисторов.

16 фоторезистор фоторезистор дифференциальный фотодиод фототиристор

17 фототранзистор p-n-p типа фототранзистор n-p-n типа фотоэлемент фотобатарея

18 оптрон диодный оптрон тиристорный оптрон резисторный прибор оптоэлектронный с фототранзистором: с выводом от базы

19 датчик Холла (токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника) резистор магниточувствительный магнитный разветвитель

20 однофазная мостовая выпрямительная схема (развернутое изображение) однофазная мостовая выпрямительная схема упрощенное изображение

21 Изображения даны на миллиметровой бумаге: диод тиристор диодный транзистор транзистор полевой

22 "Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений"

23 ОСТ представляет систему обозначений полупроводниковых приборов, которая состоит из 5 элементов. В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код.

24 Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются 4 буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводника или полупроводникового соединения. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4.

25

26 Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия

27

28 Третий элемент (цифра) в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплуатационные параметры различные. Для транзисторов - это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов - максимальное значение прямого тока, для стабилитронов - напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров - значение тока в открытом состоянии.

29

30

31

32

33

34 Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.

35 Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

36 Биполярный транзистор средней мощности: КТ 201 К – кремний, Т – транзистор биполярный, 2 – средней частоты, 01 – номер разработки. Полевой транзистор большой мощности: ГП 320 Г – германий, П – транзистор полевой, 3 – высокой или сверхвысокой частоты, 20 – номер разработки. Выпрямительный диод: КД 102А К – кремний, Д – выпрямительный, универсальный или импульсный диод, 1 – прямой ток менее 0,3 А, 02 – номер разработки, А – разбраковка.

37 Спасибо за внимание!