Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей. - презентация

1 Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей. В области n-типа преобладают электроны, которые являются основными носителями электрических зарядов, в p-области таковыми являются положительные заряды (дырки). Граница между двумя областями с различными типами проводимости называется p – n - переходом

2 а - структура; б, в – диаграммы напряжения и потенциала в области пространственного заряда

3

4 а – условное обозначение диода; б – подключение к источнику напряжения обратной полярности; в - подключение к источнику напряжения прямой полярности

5

6 а – реальная; б - аппроксимированная

7

8

9

10

11 а – штыревая; б – таблеточная; в – для поверхностного монтажа