Разработка программы и исследование лямбда - транзистора Выполнил: Курганский Д.А., гр. 722 Руководитель работы: доц. Юркин В.И. - презентация

1 Разработка программы и исследование лямбда - транзистора Выполнил: Курганский Д.А., гр. 722 Руководитель работы: доц. Юркин В.И.

2 Лямбда - транзистор Схема лямбда-транзистора

3 Математическая модель (1) (2) (3) (4) (5)

4 Математическая модель (6) (7) (8) (9) (10)

5 Блок - схема программы КОНЕЦ

6 Интерфейс разработанной программы

7 Результаты моделирования Длина каналов транзисторов L=1 мкм, толщине каналов d=1,1 мкм,Ug=-2 B, концентрация акцепторной примеси в затворе 1- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 1- го транзистора : Nd=9* /см 3, концентрация акцепторной примеси в канале 2- го транзистора : Na=9* /см 3, донорной примеси в затворе 2- го транзистора : Nd= /см 3, концентрация акцепторной примеси в затворе 3- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 3- го транзистора : Nd=9* /см 3.

8 Результаты моделирования Длина каналов транзисторов L=1 мкм, толщине каналов d=1,3 мкм, Ug=-4 B концентрация акцепторной примеси в затворе 1- го транзистора : Na=2* /см 3, донорной примеси в канале 1- го транзистора : Nd=6* /см 3, концентрация акцепторной примеси в канале 2- го транзистора : Na=6* /см 3, донорной примеси в затворе 2- го транзистора : Nd=2* /см 3, концентрация акцепторной примеси в затворе 3- го транзистора : Na=2* /см 3, донорной примеси в канале 3- го транзистора : Nd=2* /см 3

9 Результаты моделирования Длина каналов транзисторов L=1 мкм, толщине каналов d=1,3 мкм,Ug=-1 B, концентрация акцепторной примеси в затворе 1- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 1- го транзистора : Nd=8* /см 3, концентрация акцепторной примеси в канале 2- го транзистора : Na=8* /см 3, донорной примеси в затворе 2- го транзистора : Nd= /см 3, концентрация акцепторной примеси в затворе 3- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 3- го транзистора : Nd=8* /см 3.

10 Генератор на основе лямбда - транзистора

11 Результаты моделирования Ug=-0,8 B; Rн=50 Ом;

12 Результаты моделирования Ug=-0,8 B; Rн=100 Ом;

13 Результаты моделирования Ug=-1,2 B; Rн=50 Ом;

14 Результаты моделирования Ug=0 B; Rн=50 Ом;

15 Результаты моделирования Ug,BUm,B -1,21,294 -0,81,681 -0,41,812 01,850 Значения амплитуд напряжения Um при различных значениях Ug. Rн,ОмUm,B 501, , ,868 Значения амплитуд напряжения Um при различных значениях Rн.