Скачать презентацию
Идет загрузка презентации. Пожалуйста, подождите
Презентация была опубликована 9 лет назад пользователемМаксим Бурнашев
1 Математическая модель диффузии в слоистой структуре высокотемпературных сверхпроводников Большаков Александр
2 Введение ВТСП кабели болометр на ВТСП подложка слои
3 Проникновение примеси в пленку
4 Диффузия цинка в ВТСП пленку YBa 2 Cu 3 O 7-x
5 Концентрационные профили. Сравнение расчета с литературными данными 1. Для t=3 ч 40 мин, коэффициент корреляции R=0,91 2. Для t=20 ч, коэффициент корреляции R=0,9
6 Моделирование
7
Уравнение диффузии с участием двух гетерогенных твердых тел: в области –l
8 Диффузия магния в ВТСП подложка – MgO буферный слой – YSZ, толщина l=2 мкм ВТСП пленка – YBa 2 Cu 3 O 7-x, толщина 3 мкм t=550 C D 0 (Mg в YSZ)=8 см^2/с E а (Mg в YSZ)=1,1 эВ D(Mg в YBCO)=10^-5 см 2/с m=0,1
9 Моделирование в MathCAD
10 Концентрационный профиль. Сравнение расчета с литературными данными Коэффициент корреляции R=0,83
11 Варианты использования предложенной модели сделать прогноз распределения примеси в слое ВТСП; оценить эффективность применения буферного слоя для оптимального выбора материала буферного слоя; найти необходимую толщину буферного слоя;
12 Варианты использования предложенной модели Изменения температуры Различные механизмы диффузии Диффузия сразу нескольких примесей D const
13 Вывод Разработанная модель будет применена в дальнейших теоретических и практических исследованиях в области технологии получения слоистых ВТСП структур с целью экономии времени и средств.
Еще похожие презентации в нашем архиве:
© 2024 MyShared Inc.
All rights reserved.