Подготовила: Синицына Алла 10а. 1. Что такое «монокристаллы»? 2. Получение монокристаллов 3. Дефекты монокристаллов 4. Кристаллизация в невесомости.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Sp 3 –гибридизация. Углерод Дефекты в кристаллах.
Advertisements

Идеальных кристаллов, в которых все атомы находились бы в положениях с минимальной энергией, практически не существует. Отклонения от идеальной решетки.
Строение реальных металлов. Дефекты кристаллического строения.
ОБРАЗОВАНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ КРАСНОДАРСКОГО КРАЯ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ СРЕДНЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОРОССИЙСКИЙ.
Реальные кристаллы – это кристаллы, имеющие существенные нарушения или дефекты кристаллической решетки, которые образуются в результате изменения равновесных.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ.
Основы металловедения Свойства металлов Кристаллическое строение металлов Дефекты кристаллического строения Кристаллизация Деформация и разрушение.
ПЛАСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ. Все реальные твердые тела содержат дефекты структуры, являющиеся нарушениями периодичности пространственного расположения.
Введение Возникновение кристаллов в природе Рост кристаллов Линейные дефекты Структура кристаллов Форма кристаллов Симметрия Кристаллическая решетка Типы.
Типы пространственных решёток некоторых металлов А) – объёмно-центрированная кубическая (ОЦК); б) – гранецентрированная кубическая (ГЦК); в) – гексагонально.
Лекция 2: Структура, методы роста и исследования полупроводников. Строение идеальных кристаллов. Кристаллы, анизотропия их физических свойств. Трансляционная.
Оптимизация нового метода получения поликристаллического кремния Работу выполнили Побережный Даниил, Субботин Дмитрий Руководитель: Гудилин Е.В. г.Москва,
Подготовили Подготовили Учащиеся 10 класса Яремич В. Гапич А. Гаськова М. Учитель Учитель Антикуз Е.В. Антикуз Е.В.
Лекция 2: Структура, методы роста и исследования полупроводников. Строение идеальных кристаллов. Кристаллы, анизотропия их физических свойств. Трансляционная.
Влияние электрического поля на рост кристаллов Выполнила: Бессмертнова Вероника, 7 «В» класс, МОУ лицей 8: «Олимпия» Научный руководитель: Марчук Э.В.,
1.Тема научно- исследовательской работы: « Структура и свойства кристаллов. Выращивание кристаллов» 1.Тема научно- исследовательской работы: « Структура.
Презентация по теме: Модель строения твёрдых тел.
Кристаллические тела. Радуга в камне Работу выполнила ученица 9«А» класса Рыбко Валерия Руководитель Учитель физики МОУ «СОШ 7» Кириллова Инесса Геннадьевна.
ЭСС Когда людей станут учить не тому, что они должны думать, а тому, как они должны думать, тогда исчезнут всякие недоразумения.
Транксрипт:

Подготовила: Синицына Алла 10 а

1. Что такое «монокристаллы»? 2. Получение монокристаллов 3. Дефекты монокристаллов 4. Кристаллизация в невесомости

Что такое монокристаллы?

Получение монокристаллов

Выращивание кристаллов

Дефекты кристаллической структуры

Точечные: 1. Структурные точечные дефекты 2. Электронные точечные дефекты Линейные : К линейным дефектам обычно относятся краевые дислокации – обрыв ионной плоскости в кристалле и винтовые дислокации - изгиб ионной плоскости. Линейные : К линейным дефектам обычно относятся краевые дислокации – обрыв ионной плоскости в кристалле и винтовые дислокации - изгиб ионной плоскости. Плоскостные : К плоскостным дефектам относятся: поверхность монокристалла, границы монокристаллических сросшихся двойников, границы блоков внутри монокристалла. Любой тип поверхностного дефекта приводит к искажению электронных связей между ионами или их обрыву (на границе поверхность-воздух).

Объёмные : Точечные, линейные и плоскостные дефекты часто являются неизбежным следствием процесса роста монокристаллов. Их влияние можно ослабить путем совершенствования технологии. Объёмные дефекты: поры, трещины, инородные макроскопические включения в структуру совершенно недопустимы в производстве материалов для ВОЛС (особенно стекловолокон). Поэтому стекловолокна проходят жесткий контроль на отсутствие макроскопических дефектов.