ОКР «Парад» ФГУП «НИИЭТ» Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович

ОКР «Парад» «Разработка базовой технологии сборки миниатюрных многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов с использованием новых конструкционных материалов »

Цель ОКР разработка базовой технологии сборки миниатюрных многокристальных усилителей мощности на основе LDMOS транзисторов, МОП и керамических конденсаторов и резисторов с использованием новых конструкционных материалов. Зарубежный аналог : миниатюрный усилитель мощности MPAL2731M15 фирмы Integra Technology (США). Основная сфера применения усилители мощности в перспективных радиолокационных станциях S-диапазона с активными фазированными антенными решётками.

Требования к электрическим характеристикам макетных образцов Наименование параметра, единица измерения Значение 1Полоса рабочих частот, ГГц 2,7 – 3,1 2Выходная мощность, Вт 10,0 3Коэффициент усиления по мощности, дБ10,0 4Напряжение питания, В36,0

Поперечное сечение LDMOS транзисторной структуры

Электрические параметры транзисторного кристалла Наименование параметра Значение Крутизна характеристики S, А/В (U СИ = 10 В, I С = 0,7 A), 0,4 Входная емкость С 11И, пФ (U ЗИ = 0, U СИ = 36 В, f = 1 МГц) 20 Выходная емкость С 22И, пФ (U ЗИ = 0, U СИ = 36 В, f = 1 МГц) 9 Проходная емкость С 12И, пФ (U ЗИ = 0, U СИ = 36 В, f = 1 МГц) 0,7 Пороговое напряжение U ЗИ.пор, В (I C = 30 мА, U СИ = 10 В) 3 Сопротивление сток-исток в открытом состоянии R СИ.отк, Ом 1,4 Максимально допустимый постоянный ток стока I C.max, А (U ЗИ = 12 В, U СИ = 10 В) 2,5 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора P max, Вт (T к = 40 °С) 30 Максимально допустимое напряжение сток-исток U СИ.max, В (U ЗИ = 0, I C.ост = 0,5 мА) 65,0

Принципиальная схема усилителя мощности

Схема включения многокристального усилителя мощности XW1 XW2 R1 L1 C2 C3 +36В Вход ВЧ Выход ВЧ W1 W2W2 DA1 C1 C4

Cхема размещения компонентов в многокристальном усилителе мощности Керамический конденсатор МДП конденсатор Транзисторный кристалл Чип резистор Индуктивность (проволочные выводы)

Требования к параметрам макетных образцов п/п Наименование параметра Значение 1Прочность микро паяных и микро клеевых соединений (на срез), МПа 6,0 2 Прочность микро сварных соединений, (на отрыв), гс 4,0 3 Точность посадки компонентов, мкм ± 10 4 Герметичность изделия по нормализованному потоку гелия, л (мкм рт. ст)/с 5× Воспроизводимость резонансной частоты входной согласующей цепи усилителей мощности, % ± 1,0 6 Воспроизводимость резонансной частоты выходной согласующей цепи усилителей мощности, % ± 1,5 7 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по модулю, дБ 1,0 8 Разброс значений комплексного коэффициента передачи по фазе, град 10,0

Зависимость выходной мощности и КПД от частоты многокристального усилителя мощности

Миниатюрный многокристальный усилитель мощности

Миниатюрный многокристальный усилитель мощности в контактном устройстве для измерения энергетических параметров