ОАО «ИНТЕГРАЛ» филиал «ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения

п/п Обозначение прибора (корпусное исполнение) Функциональное назначениеОбозначение ТУТип корпуса 1 Серия 1264 Стабилизаторы напряжения положи- тельной полярности на токи нагрузки до 7А: регулируемый на 1.25 В и с фиксированным выходным напряже- нием 1,25 В; 2,5 В; 2,85В; 3,3 В ; 5 В; 9 В; 12 В АЕЯР ТУКТ-97В 2 142ЕР1ТИМ Регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности параллельного типа: опорное напряжение 2,495В и диапазон регулировки до 30 В АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, ОСВАИВАЕМЫЕ В 2010 г.

НОВЫЕ ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г.

2П524А9, 2П524А-5, АЕЯР ТУ n-канальный МОП полевой транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта Наименование параметра, единица измеренияОбозначениеПредельная норма Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Тср = 25 °С Iс.max1,4 Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Тср = 100 °С Iс.max0,4 Максимально допустимый импульсный ток стока, АIс(и) max2,8 Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, АIпр.max1,4 Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, АIпр.(и) max2,8 Максимально допустимое напряжение сток-исток, ВUси.max50 Максимально допустимое напряжение затвор-исток, ВUзи.max 10 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт при Тср = 25 °С Pmax1,0 Максимально допустимая температура перехода, °СТп.max150 Тепловое сопротивление переход-среда, °С/ВтRт пc125 Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 4x4Ус, 7И8 - 2 х 10Е-5 х 1Ус, 7С1 - 5x4Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 – 5x1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ

ОКР «Титул» n-канальный МОП полевой транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Повышенная стойкость к СВВФ Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта Наименование параметра, единица измеренияОбозначениеПредельная норма Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Тср = 25 °С Iс.max1,4 Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Тср = 100 °С Iс.max0,52 Максимально допустимый импульсный ток стока, АIс(и) max2,28 Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, АIпр.max1,14 Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, АIпр.(и) max2,28 Максимально допустимое напряжение сток-исток, ВUси.max100 Максимально допустимое напряжение затвор-исток, ВUзи.max 10 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт при Тср = 25 °С Pmax3,0 Максимально допустимая температура перехода, °СТп.max150 Тепловое сопротивление переход-среда, °С/ВтRт пc125 Значения характеристик: 7И1 - 0,5 х 5Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 0,5 х 6Ус, 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус, 7С х 5Ус, 7С4 - 5 х 4Ус, 7К1 – 2К, 7К4 - 1К ГОСТ РВ

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор Корпусное исполнение КТ-99-1 К Э Б Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерения) Буквенное обозначение параметра Предельно-допустимая норма при эксплуатации Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (U ЭБ = 0) U КЭК max 80 Максимально допустимое постоянное напряжение база- эмиттер, В U ЭБ max 5 Максимально допустимый постоянный ток коллектора, АI К max 1,0 Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А (tИМП =6,3 мс, Q 2) I К имп max 2,0 Максимально допустимый постоянный ток базы, мА I Б max 100 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт Тср = (-60)°С – (+25) Р К max 0,8 Тепловое сопротивление переход-среда, °С/ВтR ПЕР СР 156 Максимально допустимая температура перехода, °C Т ПЕР max 150 2ТД543А9, АЕЯР ТУ, Cоставной биполярный n-p-n транзистор

ОКР «Транзистор-М» Cоставной биполярный n-p-n транзистор Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерения) Буквенное обозначение параметра Предельно-допустимая норма при эксплуатации Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (U ЭБ = 0) U КЭК max 80 Максимально допустимое постоянное напряжение база- эмиттер, В U ЭБ max 5 Максимально допустимый постоянный ток коллектора, АI К max 2,0 Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А (tИМП =6,3 мс, Q 2) I К имп max 4,0 Максимально допустимый постоянный ток базы, мА I Б max 100 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт Тср = (-60)°С – (+25) Р К max 5,0 Максимально допустимая температура перехода, °C Т ПЕР max 150 Значения характеристик: 7И1 - 0,5 х 5Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 0,5 х 6Ус, 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус, 7С х 5Ус, 7С4 - 5 х 4Ус, 7К1 – 2К, 7К4 - 1К ГОСТ РВ Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор Дарлингтона Корпусное исполнение КТ-99-1

ОКР «Трактат», полевой транзистор ( ближайший аналог КП723Г ) Предельно-допустимые режимы эксплуатации Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4Ус, 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус, 7С1 - 4Ус, 7С4 - 4Ус, 7К1 – 5х1.К, 7К4 - 0,5х1.К ГОСТ РВ Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, логическим уровнем управления и встроенным обратносмещенным диодом, с повышенной стойкостью с СВВФ Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254 Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерений)Обозначение Предельное значение Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Ткорп = 25°СI с.мах 50 Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Ткорп = 125°СI с.мах 29 Максимально допустимый импульсный ток стока, АI с.(и) мах 200 Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, АI пр.мах 50 Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, АI пр.(и) мах 200 Максимально допустимое напряжение сток-исток, ВU си.мах 6060 Максимально допустимое напряжение затвор-исток, ВU зи.мах 10 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, ВтР мах 150 Максимально допустимая температура перехода, 0 СТ п.мах 175 Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/ВтRт пк1,0

СВЧ диод Шоттки 2ДШ142А9 набор СВЧ диодов Шоттки 2ДШ142АС9 Функциональное назначение диодов использование в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Корпусное исполнение: малогабаритный пластмассовый корпус для поверхностного монтажа КТ-46А Один диод в корпусе Набор диодов (два последовательно соединённых диода) Значения электрических параметров диодов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) [ Тср = (25 10) С] Измеряемые параметрыН о р м а Режим измерения Наименование, ед. изм. Обознач ение не менее не более Обратный ток диода, мкА I ОБР –0,5U ОБР = 15 В Прямое напряжение диода*, В U ПР – 0,4I ПР = 1,0 мА Прямое напряжение диода*, В U ПР – 1,1I ПР = 50,0 мА Ёмкость диода, пФ СДСД –2,0U ОБР = 0 В, f = 1МГц * Длительность импульса при измерениях (t ИМП ) не более 2 мс, Q > 50

Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерений) Буквенное обозначени е параметра Предельно- допустимая норма при эксплуатации Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В U ОБР макс 18 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В U ОБР И макс 18 Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА I ПР макс 50 Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, мА (t ИМП = 6,3 мс, Q >2 ) I ПР И макс 100 Значения характеристик специальных факторов во время и непосредственно после воздействия которых диод должен выполнять свои функции Вид специальных факторов Характеристики специальных факторов Значения характеристик специальных факторов 7.И7.И 1 1У с 7.И 6 2У с 7.И 7 5 х 2У с 7.И х 1Ус 7.С7.С 1 1У с 7.С 4 1У с 7.К7.К 1 1К 7.К 4 0,1 х 1К

Контактные телефоны филиала «Транзистор»: Отдел маркетинга и внешних связей( ) Главный конструктор( ) Конструкторско-технологический отдел( ) ( )