Схема считывания информации из энергонезависимой памяти Карташёв С.С. НИУ МИЭТ, аспирант 3 года обучения, кафедра ИЭМС Научный руководитель – Лосев В.В., доцент кафедры ИЭМС, к.т.н., МИЭТ

2) Flash-память Flash-память(flash-memory) – разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (ЕЕPROM). NAND-тип: USB-накопители, карты памяти всех типов NOR-тип: Конфигурационная память ПЛИС, встраиваемая память микропроцессоров и микроконтроллеров.

3) Ячейка ЗУ

4)Принцип работы ячейки ЗУ Запись Стирание Считывание информации из ячейки

5) Способы задания среднего уровня тока 1) Задание среднего уровня тока извне микросхемы (отдельным сигналом). Недостаток – неустойчивость сигнала к помехам.

6) Способы задания среднего уровня тока Дифференциальное считывание

7) Схема считывания

8) Преимущества 1) Сохранение работоспособности схемы, после многократного перепрограммирования состояний элементов памяти. 2) Высокая идентичность работы считываемых и эталонных элементов памяти. 3) Экономия площади.

9) Дальнейшие перспективы 1) Увеличение скорости считывания информации. 2) Использование схемы в любом типе энергонезависимой памяти с упорядоченной структурой.