Металлы с сильным рассеянием принцип Иоффе-Регеля,

Транспорт в жидких металлах (Теория Займана) Рассеивающий потенциал Матричный элемент перехода Квадрат матричного элемента Сумму во внутренних скобках можно усреднить по всем возможным конфигурациям вокруг фиксированного атома в точке R i0, т.е. по всем R i0.

Написав вместо суммы во внутренних скобках ее среднее и заменив суммирование по R i0 умножением на N, получим Наконец, структурный фактор S(q) можно вычислить, заменив в усредненной сумме суммирование интегрированием. Q(r) называется парной корреляционной функцией.

S(q) Вычисление проводимости Интеграл определяется окрестностью верхнего предела благодаря множителю х 3

Правило Моойа температурный коэффициент сопротивления J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973)

Насыщение сопротивления в материалах с сильным электрон-фононным взаимодействием Z. Fisk, G. Webb, PRL 36, 1084 (1976) J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973) Феноменологическая модель с шунтирующим сопротивлением sh

Насыщение сопротивления (грубая, но очень наглядная модель) Обычно вероятность рассеяния электрона за время dt равна вероятность того, что акт рассеяния произойдет в момент времени t, равна Предположим, что между двумя актами рассеяния должно пройти минимальное время 0. Усредним дрейфовую скорость, набранную электронами за время между столкновениями t M. Gurvitch, PRB 24, 7404 (1981)

Анизотрия насыщения сопротивления В.Ф.Гантмахер, Г.И.Кулеско, В.М.Теплинский, ЖЭТФ 90, 1421 (1986) В.Е. Зиновьев, А.Л. Соколов, П.В. Гельд и др., ФТТ 17, 3617 (1975) Уменьшение концентрации n приводит к большему значению sh sh = 2000 Ом см

Выводы и планы ( Что делать, чтобы добиться локализации ? ) (экспер.) K1.75 Cu1.35 Al0.4 Sn0.07 W0.2 Pb0.1 Ag1.5