ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ « ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
ФГБОУ ВПО МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА «Светодиоды, светодиодные лампы и конструирование.
Advertisements

ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА «Микропроцессорные управляющие.
ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА «Микропроцессорные управляющие.
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ФГБОУ ВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники.
Дополнительная профессиональная программа повышения квалификации "Организация конструкторско-технологической подготовки производства" Приоритетное направление.
Программа дополнительного профессионального образования (повышения квалификации) « Применение антропоморфной техники (робототехнических устройств и антропоморфных.
Программа дополнительного профессионального образования (повышения квалификации) «Особенности разработки и внедрения антропоморфных робото-технических.
ОРГАНИЗАЦИЯ МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫХ ПРОИЗВОДСТВ И РАБОЧИХ МЕСТ НА ПРИНЦИПАХ БЕРЕЖЛИВОГО ПРОИЗВОДСТВА С ПРИМЕНЕНИЕМ СОВРЕМЕННЫХ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ИЖЕВСКИЙ.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Рыбинский государственный авиационный технический.
ОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Образовательная программа дополнительного профессионального образования (повышения квалификации) «Информационное.
1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ульяновский государственный университет» Система.
Программа « Использование высокоэффективных интеллектуальных нейросетевых технологий в системах автоматизированного управления технологическими процессами.
Москва 2013 Проектирование и технология РЭС специального назначения Кафедра «Радиоэлектроника, телекоммуникации и нанотехнологии» ФГБОУ ВПО «МАТИ – Российский.
Министерство образования и науки Российской Федерации ФГБОУ ВПО «Уфимский государственный авиационный технический университет» УГС, направление подготовки.
Моделирование бизнес-процессов управления жизненным циклом изделий научно-производственного предприятия Саровский физико-технический институт.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Рыбинский государственный авиационный технический.
Дополнительная профессиональная образовательная программа повышения квалификации инженерных кадров: «Современное ресурсосберегающее оборудование для производства.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЕТИ, СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ. ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЕ. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Saint-Petersburg State University.
1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ульяновский государственный университет» Цифровые.
Транксрипт:

ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ « ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ »

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПРОГРАММЕ Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем Категория обучаемых: инженеры- конструкторы всех категорий, инженеры-технологи всех категорий Форма обучения: с отрывом от работы Срок обучения: 72 академических часа

УЧЕБНЫЙ ПЛАН п/п Наименование модуля Всего часов В том числе Лекции Практические (Лабораторные) Занятия 1 Модуль 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем (ПМ-1) (16) 2 Модуль 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках (ПМ-2) (4) ИТОГО (20) Итоговая аттестация по программе 4 ВСЕГО ЧАСОВ ПО ПРОГРАММЕ76

СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях» ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Классификация полупроводников. Кристаллическая структура и дефекты. Зонная структура полупроводников. Электронные состояния кристаллов. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Оже рекомбинация. Физика полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором. Общая характеристика и основные операции технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Сравнительный анализ методов формирования легированных областей полупроводниковых структур. Современные виды технологического оборудования в кристальном производстве. Сборка полупроводниковых приборов и ИМС. Основные технологические процессы сборки. Технологические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов на широкозонных полупроводниках.

СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях» ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Программа создания моделей полупроводниковых приборов Seditor. Программа физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов Sdevice. Общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN. Сравнение, новые возможности. Технология SiC. Особенности конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных SiC диодов и транзисторов Технология GaAs. Особенности технологии и конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных GaAs диодов и транзисторов

СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС.

СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико- топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice. Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия.

ИНФРАСТРУКТУРА Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Структура и состав Synopsys TCAD Пакет программ для моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD Установка нестационарной спектроскопии глубоких уровней DLS-83D

ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В производственно-технологической деятельности: ПК1.1.1 Готовность внедрять результаты разработок в производство

ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В проектно-конструкторской деятельности: ПК Способность проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов ПК Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования ПК Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В научно-исследовательской деятельности: Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно- техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники ПК Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения ПК Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

СТАЖИРОВКА В РОССИИ Новые полупроводниковые приборы на основе широкозонных проводников Цель стажировки – Повышение квалификации в области разработки и производства приборов на основе широкозонных полупроводников Задачи стажировки – Углубленное изучение и освоение технологии разработки новых приборов на широкозонных полупроводниках Образовательные результаты – Опыт конструкторско-технологических решений в выполнении расчетов и проектирования приборов на основе широкозонных полупроводников Принимающая организация – ОАО «Ангстрем», г. Москва Сайт принимающей организации –

СТАЖИРОВКА ЗА РУБЕЖОМ Современные силовые полупроводниковые приборы и энергоэффективные приборы на основе широкозонных полупроводников Цель стажировки – Повышение квалификации в области использования современных технологий конструирования и производства энергоэффективных полупроводниковых приборов Задачи стажировки - Ознакомиться с инновационным опытом конструирования и производства энергоэффективных полупроводниковых приборов Образовательные результаты - Опыт конструирования энергоэффективных полупроводниковых приборов Принимающая организация - «Infineon Technologies AG», Германия, г. Мюнхен Сайт принимающей организации -

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!