Современное состояние и перспективы HIT технологии производства солнечных элементов Б.Л.Эйдельман ЗАО «Телеком-СТВ»

Основы HIT технологии солнечных элементов

Достигнутые результаты по эффективности HIT солнечных элементов

Преимущества HIT технологии Высочайшая эффективность (потенциал увеличения кпд составляет свыше 25%) Высочайшая эффективность (потенциал увеличения кпд составляет свыше 25%) Низкий температурный коэффициент снижения мощности (-0,27%/K против - 0,45%/K для стандартной технологии) Низкий температурный коэффициент снижения мощности (-0,27%/K против - 0,45%/K для стандартной технологии) Низкотемпературный технологический процесс(сниженный бой, сохранение чистоты кремния) Низкотемпературный технологический процесс(сниженный бой, сохранение чистоты кремния) Высокая радиационная стойкость (отсутствие деградации) Высокая радиационная стойкость (отсутствие деградации)

Решение компании Roth&Rau

Экономические показатели Оценка себестоимости производства HJT солнечных элементов для линии мощностью 80 МВт составляет 0,19$/Wp по состоянию на конец 2012 г без стоимости кремниевой пластины или 0,55 $/Wp c кремниевой пластиной (текущая мировая стоимость монокристаллических ФЭП с кпд 18-19%, определяемая «китайским» фактором, составляет 0,52$/Wp, мультикристаллических с кпд 16-17% - 0,43$/Wp)). Оценка себестоимости производства HJT солнечных элементов для линии мощностью 80 МВт составляет 0,19$/Wp по состоянию на конец 2012 г без стоимости кремниевой пластины или 0,55 $/Wp c кремниевой пластиной (текущая мировая стоимость монокристаллических ФЭП с кпд 18-19%, определяемая «китайским» фактором, составляет 0,52$/Wp, мультикристаллических с кпд 16-17% - 0,43$/Wp)). Укрупнение масштабов производства до 320 MWp/год снизит себестоимость до 0,16$/Wp Укрупнение масштабов производства до 320 MWp/год снизит себестоимость до 0,16$/Wp

Сопоставление себестоимости производства модулей с ФЭП по перспективным технологиям A.Goodrich and other A wafer-based monocrystalline silicon photovoltaics road map, Solar energy Materials&Solar Cells, v. 114 (2013), pp A.Goodrich and other A wafer-based monocrystalline silicon photovoltaics road map, Solar energy Materials&Solar Cells, v. 114 (2013), pp

Перспективы снижения себестоимости

Перспективы развития технологии HIT Достижение кпд на уровне 25% уже в гг. (компания Panasonic в 2013 г показала24,7%) Достижение кпд на уровне 25% уже в гг. (компания Panasonic в 2013 г показала24,7%) Переход к технологии IBC-HIT с кпд выше 25% (по данным исследовательского центра компании Mayer Burger – это возможно уже в 2014 г., компания LG Electronics еще в 2012 г. получила кпд 23,4%) Переход к технологии IBC-HIT с кпд выше 25% (по данным исследовательского центра компании Mayer Burger – это возможно уже в 2014 г., компания LG Electronics еще в 2012 г. получила кпд 23,4%) Изменение металлизации с Ag на Cu и снижение себестоимости производства до уровня 0,09 $/Wp Изменение металлизации с Ag на Cu и снижение себестоимости производства до уровня 0,09 $/Wp

Технологический маршрут IBC- HIT (предложение ЗАО «Телеком-СТВ») 1. Формирование слоя туннельно-прозрачного i- a-Si на обеих сторонах пластины, формирование слоя просветления SiNx на лицевой поверхности и слоя р- a-Si на обратной стороне, формирование локальной маски на обратной стороне пластины; 2. Травление слоя р- a-Si по маске

Технологический маршрут IBC- HIT 3. Нанесение n- a-Si на обратную сторону пластины 4. Взрывная фотолитография n- a-Si слоя 5. Формирование слоя ITO на обратной стороне пластины

Технологический маршрут IBC- HIT 6. Нанесение локальной металлической маски шелкографией 7. Травление по металлической маске электрически активных слоев

Почему для России следует выбрать HIT технологию Экономико-политические аспекты Экономико-политические аспекты Базовые научно-технические аспекты Базовые научно-технические аспекты Природно-климатические аспекты Природно-климатические аспекты Экспортный потенциал Экспортный потенциал