Лекция 11Слайд 1 Темы лекции 1.Характеристики электронных пучков. 2.Источники ускоренных электронов. 3. Термоэмиссионные и автоэмиссионные катоды и их характеристики. 4.Основные узлы и характеристики электронной пушки.

Лекция 15Слайд 2 В настоящее время наиболее распространенными детекторами заряженных частиц являются канальные электронные умножители (КЭУ) и микроканальные пластины (МКП). Канальный электронный умножитель представляет собой тонкую трубку из свинцово-силикатного стекла диаметром ~ мм, изогнутую в виде полукольца радиусом несколько сантиметров. В результате термического активирования при изготовлении КЭУ поверхность трубки приобретает высокое удельное сопротивление, так что полное сопротивление между концами трубки становится ~ ГОм (10 9 Ом). На вход трубки, куда поступают заряженные частицы, подается отрицательный потенциал U = 2-3 кВ, второй конец – выход – заземляется. За счет этого получается электрическое поле, плавно спадающее вдоль длины трубки.

Лекция 15Слайд 3 Заряженная частица (это может быть электрон или ион), попадая в КЭУ и ударяясь о стенку трубки, вызывает вторичную электронную эмиссию. Электроны электрон-электронной эмиссии, ускоряясь в электрическом поле, в свою очередь, ударяясь о стенку трубки, материал которой имеет коэффициент электрон-электронной эмиссии > 1, вызывают увеличение числа электронов, летящих внутри КЭУ. При этом коэффициент усиления – отношение количества электронов на выходе КЭУ к количеству электронов на входе – составляет

Лекция 15 Слайд 4 Электрическая схема включения КЭУ в варианте с открытым выходом (наиболее часто используется при измерениях). Импульс напряжения на резисторе, вызванный одним электроном, попавшим в КЭУ, регистрируется чувствительным вольтметром. R см U U см

Лекция 15Слайд 5 Канальный электронный умножитель характеризуется: выходным током 0,1-2 мкА; коэффициентом усиления ; темновым током 0,01-0,1 имп/с; длительностью импульса 2-30 нс; динамическим диапазоном имп/с. Параметры КЭУ в процессе работы могут изменяться в зависимости от: температуры; давления, при котором эксплуатируется КЭУ; режима тренировки после вскрытия на атмосферу; от флюенса регистрируемых ионов.

Лекция 15Слайд 6 Микроканальные пластины представляют собой сотовые структуры, образованные большим числом стеклянных трубок (каналов) диаметром 5-15 мкм с внутренней полупроводящей поверхностью, имеющей сопротивление от 20 до 1000 МОм. Другими словами МКП представляет собой сборку большого (несколько миллионов) количества канальных электронных умножителей.

Лекция 15Слайд 7 Размеры МКП варьируются от нескольких миллиметров до 10 см и больше. Форма МКП может быть самая разнообразная – округлая, прямоугольная, практически любая, необходимая для конкретного приложения. Кроме того, поверхность их может быть сделана сферической или цилиндрической, для того, например, чтобы соответствовать фокальной плоскости магнитного или электростатического спектрометра. Плотность каналов в МКП ~ 10 6 канал/см 2 при диаметре каналов ~ 10 мкм.

Лекция 15Слайд 8 МКП имеют уникальное сочетание свойств – большой коэффициент усиления, высокое пространственное и временное разрешение. Пространственное разрешение для однокаскадных МКП определяется диаметром канала. Поэтому на основе МКП удобно делать позиционно- чувствительные детекторы. Временное разрешение определяется временем пролета электронной лавиной канала – меньше 1 нс. Для задач, в которых пространственное разрешение не имеет значения, для вывода сигнала используется сплошной металлический анод. Там, где важно пространственное разрешение анод может быть секционированным или резистивным и т.д. Использование МКП накладывает определенные требования к вакуумной системе. Для нормальной работы МКП требуется давление не менее Тор.

Лекция 15Слайд 9 Для измерения энергетических спектров ионов водорода и гелия с энергиями ~ МэВ обычно используются поверхностно-барьерные детекторы (ПБД). Детекторы изготавливаются в основном из кремния n-типа (детекторы на основе германия имеют худшие характеристики). После соответствующей обработки в поверхностном слое кремния образуется слой с высокой плотность дырок, сходный по своим физическим свойствам со слоем p-типа (легированный электрон-донорными примесями) с электронной проводимостью и слой р-типа (легированный электрон- акцепторными примесями) с дырочной проводимостью. Таким образом, получается p-i-n-структура. Au n-Si p-Si Al E0E0 R U см

Лекция 15 Слайд 10 Электрический контакт с этим переходным слоем осуществляется напыленной золотой пленкой толщиной ~ мкм. С другой стороны напыляется алюминиевая пленка. Подачей напряжения смещения U см (плюс к n-области, минус – со стороны p-области) осуществляется увеличение толщины переходного слоя до ~ 100 мкм. При попадании атомной частицы (как в ионизированном, так и в нейтральном состоянии) с энергией Е 0 в переходном слое ПБД образуются электрон-дырочные пары носителей заряда, число которых N 0 = E 0 /, где – средняя энергия, требуемая для образования одной пары (для кремния = 3,7 эВ).

Лекция 15 Слайд 11 Время собирания носителей заряда, дающих импульс напряжения на нагрузочном сопротивлении R, составляет с в зависимости от конструкции детектора, что на четыре-шесть порядков меньше времени жизни носителей заряда. Поэтому величина импульса на нагрузочном сопротивлении прямо пропорционально N 0 и, следовательно, энергии Е 0 частицы, попавшей в ПБД, за минусом энергии, потерянной в слое золота. Это справедливо в случаях, когда проективный пробег частицы в кремнии меньше толщины переходного слоя, что выполняется для протонов и ионов гелия с Е 0 5 МэВ.

Лекция 15 Слайд 12 Импульсы напряжения поступают либо в обрабатывающую эксперимент ЭВМ, либо на многоканальный анализатор импульсов, который производит измерение амплитуд и проводит суммирование их числа в каждом из каналов, соответствующих определенному диапазону амплитуды импульса. Таким образом, поскольку амплитуда импульса прямо пропорциональна энергии частицы, то в многоканальном анализаторе импульсов записывается энергетический спектр частиц, попадающих в ПБД. При таком измерении энергетического спектра ширина энергетического окна определяется шириной канала анализатора. Обычно используются анализаторы импульсов с 1024 каналами.

Лекция 15 Слайд 13 Твердотельный рентгеновский спектрометр. Для измерения энергетического спектра рентгеновского излучения широко применяются твердотельные рентгеновские спектрометры. Принцип действия такого спектрометра практически аналогичен принципу действия ПБД. Различие лишь в том, что первичной частицей, инициирующей образования электрон-дырочных пар в данном случае является фотоэлектрон, образующейся при поглощении кремнием кванта рентгеновского излучения, попавшего в твердотельный рентгеновский спектрометр.

Лекция 15 Слайд 14 В качестве материала детектора используют монокристалл кремния, легированный литием. Si(Li)-кристалл обладает зонной структурой, в которой состояния в зоне проводимости свободны, а состояния в валентной зоне – заполнены. При фотоэлектрическом поглощении рентгеновского кванта электроны перебрасываются в зону проводимости, оставляя в валентной зоне дырки. При наличии напряжения смещения электроны и дырки разделяются и собираются электродами, напыленными с обеих сторон кристалла. Атом кремния остается в возбужденном состоянии, так как на испускание фотоэлектрона расходуется только часть энергии рентгеновского кванта. Эта энергия выделяется либо испусканием Оже-электрона, либо кванта характеристического рентгеновского излучения кремния. Оже-электрон испытывает неупругие рассеяния и также создает электрон-дырочные пары. Кванты рентгеновского излучения кремния могут повторно поглощаться, инициируя процесс снова.

Лекция 15 Слайд 15 Таким образом имеет место последовательность событий, в результате которых вся энергия первично кванта рентгеновского излучения остается в детекторе. Поэтому количество электрон-дырочных пар, созданных квантом с энергией ħ определяется соотношением, аналогичным для случая ПБД N 0 = ħ /. Таким образом, амплитуда импульса от одного рентгеновского кванта пропорциональна его энергии. Используя многоканальный анализатор импульсов или ЭВМ, можно измерить энергетический спектр рентгеновского излучения, попадающего на вход Si(Li) рентгеновского спектрометра.