Зондовое анодное окисление Королёв Сергей. Содержание I.Введение. a.Сканирующая зондовая микроскопия. b.Сканирующая зондовая литография. II.Зондовое анодное.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Advertisements

Кремний 2010 Н-Новгород, Июль 7-9 Зарождение островков Ge на структурированных подложках Si План: - Формирование пространственно-упорядоченных массивов.
Соединения галогенов.. Подготовка к тестированию. 1.Перечислите особенности строения элементов неметаллов. 2.Укажите период, в котором больше всего элементов.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
ОБОРУДОВАНИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ В начале ХХ века появилась идея изучать вещество, не увеличивая визуально исследуемую площадь его поверхности, а как бы трогая.
учебный год учебный год учебный год.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Диодные туннельно-пролетные структуры Si:Er/Si с расширенной областью пространственного заряда, излучающие в диапазоне 1.54 мкм при комнатной температуре.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий зондовый микроскоп NanoEducator (СЗМ) Контактная литография.
РАЗРАБОТКА НАНОЗОНДОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕГО ЗОНДОВОГО МИКРОСКОПА САМОЙЛОВ Л.Л. /СПБ ГУ ИТМО/
Лекция 3 Сканирующая туннельная микроскопия План: 1. Эффект туннелирования через потенциальный барьер. 2. Принцип работы туннельного микроскопа. 3. Зонды.
Механизмы электронного транспорта в контактах металл- полупроводник. Подготовил Королёв Сергей.
Уравнение Шредингера Стационарные состояния такие состояния, в которых плотность вероятности не зависит от времени. U U(t). Для пространственной части.
Сканирующая зондовая микроскопия. Определения Сканирующая зондовая микроскопия – физический метод исследования поверхностных слоев с нанометровым разрешением,
ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ В СТРУКТУРАХ Si/SiO 2 ПРИ ОКИСЛЕНИИ СЛОЕВ SiGe, SiAu и SiPt: СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА А.Г. Новиков 1, П.И. Гайдук.
Нобелевская премия по физике,1986 г.. Физика поверхностных явлений в настоящее время является одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки.
Степень окисления. Бинарные соединения металлов и не металлов: оксиды, хлориды, сульфиды и др.
1 СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ МИКРОСКОПИЯ В.И. Троян, М.А. Пушкин, В.Д. Борман, В.Н. Тронин презентация к лекциям по курсу «Физические.
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ переподготовки в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами.
Транксрипт:

Зондовое анодное окисление Королёв Сергей

Содержание I.Введение. a.Сканирующая зондовая микроскопия. b.Сканирующая зондовая литография. II.Зондовое анодное окисление. a.Импульсная методика. b.Первые успехи. c.Окисление металла. Модель Кабрера и Мотта. d.Зондовое анодное окисление кремния. e.Встроенный пространственный заряд. f.Модуляционная методика. III.Заключение.

Сканирующий зондовый микроскоп В. Л. Миронов, Основы сканирующей зондовой микроскопии (2004). Исполнительный элемент

Сканирующий зондовый микроскоп Сканирующий туннельный микроскоп Атомно-силовой микроскоп В. Л. Миронов, Основы сканирующей зондовой микроскопии (2004).

H. M. Saavedra et. al., Hybrid strategies in nanolithography (2010).

Импульсная методика зондового анодного окисления J. A. Dagata, Science 270 (1995) 1625.

Зондовое анодное окисление. Что лучше: сканирующий туннельный микроскоп или атомно-силовой микроскоп? Сканирующий туннельный микроскоп: Атомно-силовой микроскоп: Один свободный параметр Два свободных параметра Основные успехи зондового анодного окисления связаны с использованием атомно-силового микроскопа.

Металлизация иглы атомно- силового микроскопа Si 3 N 4 Ti V

Первые успехи использования проводящего зонда атомно- силового микроскопа для окисления поверхности E. S. Snow and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994). Si Полоски SiO 2 Полоски SiO 2 служат маской при травлении Si в растворе KOH Незащищённый Si протравился примерно 10 нм

«Заострение иглы» Ширина полосок ~ 20 нм Диаметр иглы ~ 80 нм E. S. Snow and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).

Сухое травление в плазме E. S. Snow, W. H. Juan, S. W. Pang and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 66, 1729 (1995). Si SiO 2 Глубина травления ~ 30 нм.

Окисление металла Окисление – это соединение тел с кислородом. Al O2O2 Скорость окисления определяется скоростью химической реакции. Al Скорость окисления определяется скоростью прохождения реагентов через окисел. Al 2 O 3 O2O2

Модель Кабрера и Мотта Al Al 2 O 3 O O-O- N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1949).

Источник кислорода при зондовом анодном окислении V Si SiO 2

Реакция окисления кремния Si SiO 2

Скорость окисления Скорость дрейфа ионов N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1949).

Скорость окисления кремния: эксперимент P. Avouris, T. Hertel and R. Martel, Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997). n-Si(100) Модель Кабрера и Мотта

Сканирующая микроскопия напряжений Максвелла J. A. Dagata, Nanotechnology 8, A3 (1997). Поверхностный потенциал Ёмкость

Наблюдение встроенного пространственного заряда J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 73, 271 (1998). p,n-Si(100) Создавались точечные окислы Снимались карты топологии, потенциала, ёмкости

Механизм образования встроенного пространственного заряда

Модуляционная методика зондового анодного окисления F. Perez-Murano, K. Birkelund, K. Morimoto and J. A. Dagata, Appl. Phys. Lett. 75, 199 (1999).

Заключение Зондовое анодное окисление МатериалыМоделиМетодикиПрименения