Криогенные детекторы терагерцового диапазона.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
P-i-n-фотодиоды Выполнила: студентка группы Глазнева Н.А.
Advertisements

Компьютерная электроника Лекция 14. Каскад с общей базой.
Синхротронное излучение в диагностике наносистем 4-й курс 8-й семестр 2007/2008 Лекция 3.
Лекция 7 Динамические характеристики измерительных систем Импульсной характеристикой стационарной измерительной системы, описываемой оператором, называют.
1.10. Радиационные термометры. Радиационные термометры являются пассивными локаторами. Они основаны на законах теплового излучения. Рис Спектр.
Полупроводниковые устройства Лекция 15 Весна 2012 г.
Фотодиод Выполнила: студентка группы Степанова К.В.
Компьютерная электроника Лекция 20. Усилители. Усилители Усилителем называется устройство, с помощью которого путем затрат небольшого количества энергии.
Лекции 11,12 Квантовая интерференция СКВИДы. Характеристики интерферометра Одинаковые переходы.
1 «Разработка и исследование транзисторных детекторов СВЧ мощности для радиоастрономических приемников» Иванов С.И., Лавров А.П., Матвеев Ю.А. Санкт-Петербургский.
Компьютерная электроника Лекция 10. Динамический режим работы биполярного транзистора.
Фотоприемники: фотосопротивления, фотодиоды, фототранзисторы Зелемоткин А.В.
Квантовая физика- раздел современной физики, в котором изучаются свойства, строение атомов и молекул, движение и взаимодействие микрочастиц.
Характеристики идеального диода на основе p-n перехода. Полупроводниковый диод Нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней.
Исследования проводимости различных материалов начались непосредственно в XIX веке сразу после открытия гальванического тока. Первоначально материалы делили.
1 ПОУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТРЫ Как и в газе, возникновение свободных носителей заряда в твердом теле может быть использовано для детектирования ионизирующих.
УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА МИКРОСХЕМЕ НА МИКРОСХЕМЕ К174УН7.
Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.
Электрофизические свойства проводниковых материалов Автор Останин Б.П. Эл. физ. свойства проводниковых материалов. Слайд 1. Всего 12 Конец слайда.
Презентация по теме: «Полупроводниковые диоды» Выполнили: Бармин Р.А. Гельзин И.Е.
Транксрипт:

Криогенные детекторы терагерцового диапазона

Затухание на уровне моря

Два семейства методов Понижение частоты квантово-оптических методов – Низкое спектральное разрешение (ширина линии источников >10 кГц), акустооптика, брэгговские решетки, детекторы мощности Увеличение рабочей частоты радиофизических методов – Все функциональные элементы могут быть представлены в виде R,L,C эквивалентных схем – Супергетеродинные приемники. Источники гетеродина имеют высокую фазовую стабильность

Радиоастрономия

Спектроскопия

Пример спектра, измеренного гетеродинным методом

Медицинская диагностика

Базально-клеточная карцинома

Детектирование наркотических веществ

Детекторы кинетической индуктивности

Детекторы с антенной

Примеры широкополосных антенн спиральная логопериодическая Поверхностные токи логопериодической антенны

Размещение чипа на квазиоптическкой линзе

Волноводные конструкции Недостаток - узкополосность

Согласование антенны с приемником Импеданс приемника Z пр = R пр + iX пр Импеданс антенны Z A = R A + iX A

Физика болометров

Расчет чувствительности - падающая мощность модулируется с частотой ω R – сопротивление резистивного термометра Тогда выделяемая мощность Исходящий тепловой поток k(T) – удельная теплопроводность

Уравнение теплового баланса Поток входной мощности равен потоку выходной и сумме выходной и накапливаемой в абсорбере с теплоемкостью С - динамическая теплопроводность стационарная часть - зависящая от времени

чувствительность по напряжению Подставляя нестационарную часть уравнения теплового баланса получаем: [B/Вт] Поскольку R зависит от Т, то для учета приращения напряжения V1 используют эффективную теплопроводность где - коэффициент электротермической обратной связи

Электротермическая обратная связь Полупроводники: α G сверхпроводники: α>0 Ge

Мощность эквивалентная шуму Это оптическая мощность, приложенная к входу идеального (нешумящего) оптического приемника и создающая на выходе электрическую шумовую мощность, равную наблюдаемой на выходе фактически рассматриваемого приемника. Мощность сигнала на входе, при которой соотношение сигнал/шум на выходе равно 1, если времени интегрирования составляет 0.5 с

Собственная МЭШ болометра

Болометр на крае с/п перехода Изменение электронной температуры БКП под действием излучения приводит к увеличению сопротивления пленки вблизи критической температуры Тк. Ток через болометр, работающий в режиме задания напряжения, считывается посредством СКВИДа.

ΔT

Болометр на холодных электронах

Уравнение теплового баланса БХЭ

Квантовая эфективность N и S абсорберов