Спецкурс «Методы элементного анализа твердых тел» Черныш Владимир Савельевич Основная литература. 1. Л. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 Название дисциплины: Основы анализа поверхности твердых тел и тонких пленок методами атомной физики Преподаватель: Д. ф. - м. н., профессор, Никитенков.
Advertisements

Лекция 1Слайд 1 МЕТОДЫ ЭЛЕМЕНТНОГО И СТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА 7 семестр 8 семестр лекции – 2 часа/неделю, лекции – 2 часа/неделю практические занятиялабораторные.
Лекция 29Слайд 1 Темы лекции 1.Метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). 2.Форма спектра обратнорассеянных ионов. 3.Аппаратура, необходимая для.
СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Область применения Поверхность, частицы, анализ дефектов,
Лекция 3Слайд 1 Темы лекции 1.Сечение рассеяния в кулоновском потенциале. 2.Сечение рассеяния в обратноквадратичном потенциале.
Реформация и становление Англии при Тюдорах Выполнил: школа Руководитель:
УПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЧАСТИЦ Выполнил: Ануарбеков А.К. гр.яф-53.
1 СПЕКТРОСКОПИЯ РАССЕЯНИЯ МЕДЛЕННЫХ ИОНОВ СПЕКТРОСКОПИЯ РАССЕЯНИЯ МЕДЛЕННЫХ ИОНОВ В.И. Троян, М.А. Пушкин, В.Д. Борман, В.Н. Тронин презентация к лекциям.
LOGO. Провести лабораторный эксперимент с использованием цифровой лаборатории. С помощью проделанного эксперимента доказать теорему.
Как изменяется влажность и температурный режим в рабочих помещениях и как защититься от их неблагоприятного воздействия? Раков Сергей Раков Сергей Ученик.
Работа выполнена уч-ся 3 Г класса Белимовой Дианой и Дашиевой Арюной под руководством учителя начальных классов Балашовой Т. Н. Похититель разума.
Выполнила студентка 4 курса филологического факультета КГПИ Дуркина Юлия 2010.
Неравенства с параметрами. Метод областей. Работу выполнила: Ильюшенко Г.М. МОУ СОШ 23.
Использованы: illjustracii boris zvorykin.html.
А) Б) В) Г) a=1a=0a= -1 a=1a=0a= -1, Простейшие тригонометрические уравнения Простейшие тригонометрические уравнения Sin t=a; Cos t=a; где t=f(x) Sin.
Идеальный газ. Основное уравнение МКТ Часть 2. Обычно в основе построения любой теории лежит метод моделей – вместо реального физического объекта или.
Презентация для учащихся. Единая Россия Коммунистическая.
Проект подготовили: Сидорова Татьяна, ученица 8 класса Жарова Кристина, ученица 8 класса Паницков Иван, ученик 7 класса Власенко Иван, ученик 9класса Почему.
2. Обзор наиболее важных процессов, происходящих в твердом теле при его бомбардировке заряженными частицами 2.1. Процессы, происходящие в веществе при.
Лекция 8Слайд 1 Темы лекции 1.Отраженные и вторичные электроны электрон- электронной эмиссии. 2.Энергетический спектр и угловые характеристики. 3.Расчет.
Транксрипт:

Спецкурс «Методы элементного анализа твердых тел» Черныш Владимир Савельевич Основная литература. 1. Л. Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких плёнок. Пер. с англ. - М.: Мир, – 344 с., ил. 2. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. III. Характеристики распыленных частиц, применения в технике: Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. – М.: Мир, – 551 с., ил. 3. Электронная и ионная спектроскопия твёрдых тел. Пер. с англ./ Под ред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника и В. Декейсера. – М.: Мир, – 467 с., ил. 4. Черепин В.Т. Ионный микрозондовый анализ.-К.: Наукова думка, Дополнительная литература

История вопроса ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ И ПРЕДМЕТ КУРСА ?

Глава I. Краткие сведения из теории атомных столкновений 1.1. Кинематика атомных столкновений. m1m1 E0E0 m2m2 E2E2 E1E1 Упругие столкновения. E 1 = [ (m 2 2 –m 1 2 sin 2 ) 1/2 +m 1 cos /(m 1 +m 2 )] 2 E 0 = =kE 0 где k – кинематический фактор E 2 = E 0 cos 2, где = 4m 1 m 2 /(m 1 +m 2 ) 2 До столкновения: m 1 v 1 2 /2=E 0 v 2 =0 I. Если m 1 >m 2, то (m 2 2 –m 1 2 sin 2 ) 0. Отсюда: max = arc sin m 2 /m 1. II. Рассеяние назад, т.е. 2, возможно только, если m 1

1.2. Рассеяние в центральном поле Приведенная масса. О переходе к лабораторной системе! (см. Ландау, «Механика», т.1) Итак, задача о движении двух взаимодействующих частиц (m 1 и m 2 )сводится к рассмотрению движения одной частицы с приведенной массой m в центральном потенциальном поле U(r).

1.2.2.Рассеяние частиц. Таким образом, зная прицельный параметр и потенциал взаимодействия, мы можем определить угол рассеяния частицы, т.е. решить задачу рассеяния.

1.2.3.Потенциал взаимодействия атомных частиц.

1.2.4.Сечение рассеяния.

Глава II. Распыление поверхности при ионной бомбардировке 1.Основные характеристики распыления.