Термоэлектрические свойства взаимодействующих двумерных электронов в диффузионном режиме. В.Т. Долгополов 1) и А. Гольд 2) 1) Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия 2) Centre d'Elaboration de Materiaux et d'Etudes Structurales (CEMES/CNRS),Toulouse, France
Термоэлектрические коэффициенты.
m l =0.916 m e, m t =0.19 m e depletion layer Si (100) MOSFET
Si-MOSFET Si-MOSFET E C >> E F E C >> E F m= 0.19m 0 m= 0.19m 0 two valleys two valleys C /E F C /E F
К каким наблюдаемым эффектам приводит сильное взаимодействие?
Предполагаем справедливость приближения При слабом взаимодействии (область больших электронных концентраций) из ответа для термо ЭДС также полностью выпадают все параметры, характеризующие рассеяние. Если время релаксации 0 не зависит от энергии, то термо ЭДС равна
(q,0) = 1+ q s /q{1- [1-(2 k F /q) 2 ] 1/2 }. q>2k F (q,0) = 1+ q s /q q
В результате, частота рассеяния разлагается в ряд по малой поправке
ВЫВОДЫ «Классические» выражения для термоэлектрических коэффициентов не могут быть экстраполированы в область сильного взаимодействия. При сильном межэлектронном взаиможействии термоЭДС cильно подавлена и обладает зависимостью от r s.