Термоэлектрические свойства взаимодействующих двумерных электронов в диффузионном режиме. В.Т. Долгополов 1) и А. Гольд 2) 1) Институт физики твердого.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Высокорезистивные сплавы с большой электронной плотностью – отсутствие перехода Андерсона В.Ф. Гантмахер Харьков,
Advertisements

Лабораторная работа 2Моделирование полевого транзистора Шотки в рамках диффузионно-дрейфовой и гидродинамической моделей Выполнил: Бобков А.А. Группа:8208.
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
Квантовые поправки к проводимости Слабая локализация и межэлектронное взаимодействие Два типа электронного рассеяния: Упругое с вероятностью 1/ Выражение.
Фотоприемники: фотосопротивления, фотодиоды, фототранзисторы Зелемоткин А.В.
2.10.Колебания поверхностных атомов При повышении температуры появляются колебания атомов около их равновесных положений Силы взаимодействия можно рассматривать.
Квантовый транспорт и коллективные явления в двумерных электронных системах в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и AlGaN/GaN, квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe.
Термодинамика суперионных проводников А.Н.Титов Институт физики металлов УрО РАН Ул. C. Ковалевской, 18, Екатеринбург, , Уральский госуниверситет.
Фотонное эхо.
Сегодня: среда, 18 декабря 2013 г.. ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п 1. Контакт двух металлов 2. Электронно-дырочный переход 3. Вентильные свойства.
Department of theoretical astrophysics П.С. Штернин, Д.Г. Яковлев Теплопроводность электронов и мюонов в ядрах нейтронных звёзд – эффект затухания Ландау.
Об энергии и количестве куперовских пар в теории БКШ В. Погосов, Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН M. Combescot, Institut des NanoSciences.
А.В.Бурдаков.Физика плазмы. Теоретические модели, используемые при исследовании плазмы.
Васильева Е.В.1 Электронные опорные конспекты по физике (7,8 классы)
Лекция 3 Электропроводность растворов электролитов.
1 О взаимосвязи констант сильного, электромагнитного и слабого взаимодействий Нефедов Н.А., 1 Georgieva M.I. (Георгиева М.И.), 2 Бейсебай П.Б. НТЦ РХБГ.
Введение в физические свойства твёрдых тел Лекция 7. Электронная структура твёрдых тел.
1 ЛЕКЦИЯ 4. Элементарные процессы в плазме. Скорость протекания элементарных процессов. Сечение столкновений. Упругое взаимодействие электронов с атомами.
ТЕРМОДИНАМИКА ДЕБАЕВСКИХ СИСТЕМ В СЛАБО И УМЕРЕННО НЕИДЕАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ А.Г. Храпак 1, С.А. Храпак 1,2 1 Объединенный институт высоких температур РАН, Москва,
Лекция 5Слайд 1 Темы лекции 1.Ядерная и электронная тормозная способность и их связь с удельными потерями энергии при движении ионов в твердом теле. 2.Расчет.
Транксрипт:

Термоэлектрические свойства взаимодействующих двумерных электронов в диффузионном режиме. В.Т. Долгополов 1) и А. Гольд 2) 1) Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия 2) Centre d'Elaboration de Materiaux et d'Etudes Structurales (CEMES/CNRS),Toulouse, France

Термоэлектрические коэффициенты.

m l =0.916 m e, m t =0.19 m e depletion layer Si (100) MOSFET

Si-MOSFET Si-MOSFET E C >> E F E C >> E F m= 0.19m 0 m= 0.19m 0 two valleys two valleys C /E F C /E F

К каким наблюдаемым эффектам приводит сильное взаимодействие?

Предполагаем справедливость приближения При слабом взаимодействии (область больших электронных концентраций) из ответа для термо ЭДС также полностью выпадают все параметры, характеризующие рассеяние. Если время релаксации 0 не зависит от энергии, то термо ЭДС равна

(q,0) = 1+ q s /q{1- [1-(2 k F /q) 2 ] 1/2 }. q>2k F (q,0) = 1+ q s /q q

В результате, частота рассеяния разлагается в ряд по малой поправке

ВЫВОДЫ «Классические» выражения для термоэлектрических коэффициентов не могут быть экстраполированы в область сильного взаимодействия. При сильном межэлектронном взаиможействии термоЭДС cильно подавлена и обладает зависимостью от r s.