Сигаева В.В., учитель физики. Фотоэффект - любые изменения, которые происходят с веществом при поглощении им электромагнитного излучения.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 Фотоэффект Лекции по дисциплине «Основы анализа поверхности методами атомной физики» Профессор каф. общей физики ТПУ Н.Н. Никитенков.
Advertisements

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ – ОСНОВА ЖИЗНИ Интегрированный день в 11 классе Сазонов Василий Викторович, МОУ СОШ д.Васькино.
Фотоэффект – это явление вырывания электронов из вещества под действием света.
КВАНТОВАЯ ФИЗИКА. ОСНОВОПОЛОЖНИК КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ. МАКС ПЛАНК. ВЕЛИКИЙ НЕМЕЦКИЙ ФИЗИК – ТЕОРЕТИК, ОСНОВАТЕЛЬ КВАНТОВОЙ ТЕОРИИ – СОВРЕМЕННОЙ ТЕОРИИ ДВИЖЕНИЯ,
Открыт в 1887 году немецким физиком Генрихом Герцем Открыт в 1887 году немецким физиком Генрихом Герцем Экспериментально исследован в годах.
Квантовая физика 900igr.net. Основоположник квантовой физики. Макс Планк. Великий немецкий физик – теоретик, основатель квантовой теории – современной.
Фотоэффект Кто является основоположником квантовой физики? Макс Планк. Великий немецкий физик – теоретик, основатель квантовой теории – современной теории.
Александр Беккерель Уиллоби Смит В 1839 году А.Беккерель обнаруживает фотоЭДС на контакте разнородных металлов Английский физик Уиллоби Смит в 1873 году.
Электронное пособие по физике. Государственное образовательное учреждение НПО Профессиональный лицей 15 Выполнила: Выполнила: преподаватель физики Варламова.
Фотоэффект Столетов Александр Григорьевич Выдающийся русский физик Исследовал свойства ферромагнетиков, несамостоятельный газовый разряд. Опытным.
Преподаватель физики ПЛ-87: Бердникова Галина Петровна.
ФОТОЭФФЕКТ Фотоэлектрический эффект был открыт в 1887 году немецким физиком Г. Герцем и в 1888–1890 годах экспериментально Г. Герцем.
Квантовая физика Протазова Надежда Ивановна учитель физики МОУ ОСОШ г. Колпашева.
Презентация к уроку по физике (11 класс) по теме: Фотоэффект
Квантовая физика Протазова Надежда Ивановна учитель физики МОУ ОСОШ г. Колпашева.
Открытие фотоэффекта. Фотоэффект Фотоэффект – вырывание электронов из вещества под действием света В 1887 году Генрих Герц открыл фотоэффект1887 годуГенрих.
Фотоэффект – это явление вырывания электронов из вещества под действием света.
Фотоэффект Раздел современной физики Квантовая физика изучает свойства, строение атомов и молекул, движение и взаимодействие микрочастиц.
Фотоэффект Фотоэффект (или точнее – внешний фотоэффект) состоит в вырывании электронов из вещества под действием падающего на него света. открыт в 1887.
Оглавление Фотоэффект Внешний фотоэффект Внутренний фотоэффект Опыт Герца Опыт Столетова Схема зависимости I от U Экспериментальные законы фотоэффекта.
Транксрипт:

Сигаева В.В., учитель физики

Фотоэффект - любые изменения, которые происходят с веществом при поглощении им электромагнитного излучения

, лишенная массы покоя и электрического заряда, но обладающая энергией и импульсом. Фотон элементарная частица, квант электромагнитного излучения, лишенная массы покоя и электрического заряда, но обладающая энергией и импульсом.

ФОТОЭФФЕКТ внешний внутренний Применение: вакуумные и газонаполненные фотоэлементы с внешним фотоэффектом и более сложные вакуумные приборы, в которых фотоэмиттер служит источником свободных электронов Применение: большой класс полупроводниковых приемников излучения: фоторезисторы, фотодиоды, солнечные батареи

История развития учения о фотоэлектричестве и создании фотоэлектронных приборов насчитывает более 150 лет г. - А. Беккерель впервые обнаружил образование фотоЭДС на контактах разнородных материалов г. - первые сообщения о зависимости сопротивления селена от освещения г. – открытие Г. Герцем внешнего фотоэффекта, который установил, что электрический разряд между двумя проводниками происходит значительно сильнее, когда металлические электроды освещаются светом, богатым ультрафиолетом (например, светом от искры другого разрядника) г. - А. Г. Столетовым выполнены фундаментальные работы по исследованию фотоэмиссии и сформулированы основные законы внешнего фотоэффекта г. - А. Эйнштейн объяснил основные закономерности фотоэффекта на основе гипотезы о квантовании энергии электромагнитного поля, проявляющемся в процессах испускания и поглощения света г. – Нобелевская премия.

Основоположник теории фотоэффекта А.Г. Столетов – русский физик. Исследование фотоэффекта принесло ему мировую известность. Столетов показал возможность применения фотоэффекта на практике.

R VмА +- КА МОНОХРОМАТИЧЕСКИЙ СВЕТ U I

Теория фотоэффектаАльберт Энштейн ( ) – великий физик XX века. Энштейн впервые ввел представление о частицах света – фотонах, дал объяснение явлению фотоэффекта разработал теорию броуновского движения. Уравнение Эйнштейна:

U -Uз 1 2 I н1 I н2 I Зависимость силы фототока от приложенного напряжения Кривая 2 соответствует большей интенсивности светового потока. I н1 и I н2 – токи насыщения, U з – запирающий потенциал. Первый закон фотоэффекта

Второй закон фотоэффекта

Зависимость запирающего потенциала U з от частоты ν падающего света Третий закон фотоэффекта

1. Фотоэлементы А - вывод анода; К – вывод фотокатода; ОК - вывод металлического охранного кольца (устанавливается для исключения попадания токов утечки на нагрузку). Типичные конструкции вакуумных фотоэлементов: Схема включения фотоэлемента с внешним фотоэффектом: К - фотокатод; А - анод; Ф - световой поток; Е - источник постоянного тока, служащий для создания в пространстве между катодом и анодом электрического поля, ускоряющего фотоэлектроны; R н нагрузка. Применение: Различные прибора и системы для регистрации световых потоков Недостаток: низкая чувствительность

2. Фотоумножители Принципиальная схема ФЭУ с делителем напряжения: ФК - фотокатод; I - фокусирующий электрод; Д - диафрагма; Э1....Э5 - диноды; А - анод; R Д - сопротивление делителя напряжения; R Н нагрузочное сопротивление в цепи анода; С а емкость анода. RДRД ФК I Д Э1Э1 Э2Э2 Э3Э3 Э4Э4 Э5Э5 А RНRН СаСа

3. Полупроводниковые устройства Схема фотоэлемента с внутренним фотоэффектом: p и n области полупроводника с дырочной и электронной проводимостями. Пунктирной линией обозначен р-n - переход Полупроводниковый прибор с выпрямляющим полупроводниковым переход (p-n - переходом) – фотоэлемент, действие которого основано на внутреннем фотоэффекте. В качестве материалов для полупроводникового фотоэлемента используются Se, GaAs, CdS, Ge и Si. Применение: Приемники оптического излучения, для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию в солнечных батареях.