Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Осаждение нитрида кремния.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Литография и контактная фотолитография. Позитивные и негативные фоторезисторы.
Advertisements

Методы ионно-лучевой обработки и нанотехнологических исследований Сарымсаков Р. Г. ИУ4-73.
«НАНОЛИТОГРАФИЯ» Стефанович Г.Б.. Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография.
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими.
Технологическое моделирование (TCAD) Лабораторная работа 1.
Травление микро- и нано структур Травление используется для переноса рисунка фоторезистивной маски в нижележащий слой материала посредством его селективного.
Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. Подготовил студент 3 курса группы Лебедев П.А.
Лекция 1,2 Введение. Слабые связи.. Понятие о слабой связи Определение: Слабая сверхпроводящая связь – это проводящее соединение между массивными сверхпроводниками.
Слайд 1 Слайд 2 Слайд 3 Слайд 4 Слайд 5 Слайд 6.
Продолжение следует…
Технология изготовления микропроцессоров Торсукова Анна, 10 класс.
Металлизация. Требования к контактам Механическая прочность в течении всего срока службы (в том числе при изменении эксплуатационных условий) Быть невыпрямляющими.
Кремний 2010 Н-Новгород, Июль 7-9 Зарождение островков Ge на структурированных подложках Si План: - Формирование пространственно-упорядоченных массивов.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
Тренировка мышки. Нажми на квадрат Нажми на звезду.
Научно-технический Центр тонкопленочных технологий на основе кремния НТЦНТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им А.Ф. Иоффе Общество с ограниченной.
Полупроводниковые микросхемы В настоящее время различают два класса полупроводниковых ИМС: биполярные и МДП ИМС в зависимости от используемых транзисторов.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский ядерный университет.
Методы получение тонких плёнок ионным распылением. Магнетронное распыление. Авторы: Артёмов С. А. Миронов М.
И ССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ НАНОСТРУКТУР S I /S I O 2 / М ЕТАЛЛ С ТРЕКАМИ БЫСТРЫХ ТЯЖЕЛЫХ ИОНОВ КАНЮКОВ ЕГОР Научно - практический центр НАН Беларуси по материаловедению,
Транксрипт:

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Осаждение нитрида кремния

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Добавление слоя поликремния ( Поли 0)

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Нанесение изображения через 1-ый уровень маски (Поли0), используя литографию Фоторезист Структурированный фоторезист

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Структурированный фоторезист Удаление ненужного Поли0, используя реактивное ионнное травление

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Осаждение 1-ого слоя оксида, используя LPCVD (химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении)

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию... Фоторезистt и глубинное реактивное ионное травление

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию... Фоторезист и глубинное реактивное ионное травление

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Нанесение безпримесного осаждённого слоя поликремния (Поли1) используя LPCVD… Затем осаждение PSG (фософосиликатного стекла) и отжиг

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Нанесение изображения через 4-й уровень маски (Поли1), используя фотолитографию... Фоторезист и глубинное реактивное ионное травление

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Осаждение 2-го слоя оксида Si подложка

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Нанесение изображения через маску 5-го уровня, используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление Si подложка

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Нанесение изображения через маску 6-го уровня, используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление Si подложка

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Осаждение безпримесного поликремния, Si подложка затем нанесение PSG (фосфосиликатное стекло) слоя жёсткой маски, затем отжиг

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Нанесение изображения через маску 7-го уровня, используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление Si подложка

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Нанесение изображения через маску 8-го уровня, используя фотолитографию и отрыв, затем удаление ненужного фоторезиста и металла в ванне растворителя Si подложка

Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Реализация структуры, используя HF Si подложка