Диспергированные пленки Зависит от условий формирования пленки От размеров зерен, их ориентации, их расположения. При малых напряжениях – омический характер При больших напряжениях – эмиссия электронов 5.4. Диспергированные пленки Островковая структура на диэлектрической подложке Удельное сопротивление может на порядки превышать массивного вещества

Одновременно с эмиссией - свечение Можно полагать – центры эмиссии электронов и центры свечения совпадают

1. Термоэлектронная эмиссия Сильная зависимость от температуры системы. F>>V/L Нередко экспоненциально связана с 1/T Механизм переноса заряда – термически активированный процесс Величина барьера понижена вследствие наличия потенциалов сил зеркального изображения и электрического поля. Эффективная высота потенциального барьера F – напряженность электрического поля Основное падение потенциала на зазорах между островками Механизм предпочтителен при больших расстояниях между островками (d>100 Å )

При переходе заряда от одного островка к другому энергия системы возрастает. Изменение энергии пропорционально e 2 /( 0 d). Следовательно, чтобы переход совершился необходима активация системы. Число носителей ~exp(-e 2 /( 0 dkT)). Переход электрона через вакуумный промежуток между островками - не самый оптимальный путь. Через диэлектрик барьер существенно ниже Препятствием для применения - отсутствие технологии 2. Туннелирование Эффект значителен при d Å 3. Активированное туннелирование 4. Туннелирование через подложку. Сродство подложки к электрону >0 (чаще всего)