Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ переподготовки в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами.
Advertisements

КАФЕДРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ. КОМПЛЕКТ ЛАБОРАТОРНЫХ ПРАКТИКУМОВ 1.Лабораторный практикум на основе комплекса техно- логического оборудования.
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ФГБОУ ВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники.
Технологическое моделирование (TCAD) Лабораторная работа 1.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
Ермаков Игорь Владимирович «ИССЛЕДОВАНИЕ ЯЧЕЙКИ КМОП-СОВМЕСТИМОГО ЭСППЗУ» Научный руководитель: д.т.н., Шелепин Н.А. МЭС-2014 Зеленоград – 2014 НИУ «МИЭТ»,
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ЦКП «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников» НИЯУ МИФИ Профессор.
ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ « ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ.
Конференция «Фундаментальные исследования материи» «Совершенствование технологического маршрута производства кремниевых фотоумножителей посредством компьютерного.
Разработка сетевых образовательных программ подготовки и переподготовки инженерных и рабочих кадров в сфере наноиндустрии Межрегиональный отраслевой ресурсный.
«НАНОЛИТОГРАФИЯ» Стефанович Г.Б.. Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография.
Задачи курса: 1. Освоение новых достижений и тенденций в области САПР. 2. Изучение и практическое применение современных конструкторских и технологических.
Компьютерное моделирование и проектирование микро- и нано- электроники и микроэлектро- механических систем III-ий региональный семинар, 2011 г. Кафедра.
Программа повышения квалификации «Технологии и средства разработки вооружений и военной техники на основе высокомощных лазерных систем» Структура и содержание.
Нажмите кнопку мышки или пробел для продолжения Все слайды собственность Cronos Si подложка Осаждение нитрида кремния.
1 Литография Подготовил: студент группы Дудко Михаил.
1 Отчет по выполнению работ в рамках проекта «Междисциплинарные задания» (МДЗ) Тема : Сквозной маршрут проектирования средствами САПР Synopsys «Электроника.
Научно-исследовательские лаборатории кафедры Лаборатория моделирования микро- и наноэлектронных компонентов Лаборатория включает: лицензионное программное.
Методы ионно-лучевой обработки и нанотехнологических исследований Сарымсаков Р. Г. ИУ4-73.
Транксрипт:

Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм

УМК - Компьютерное моделирование процессов фотолитографии: Тема 1. Факторы, влияющие на формирование изображения в процессе фотолитографической проекции. Тема 2. Математические модели формирования фотолитографического изображения. Тема 3. Методы оптической коррекции в фотолитографии. Тема 4. Калибровка модели фоторезиста. САПР компании Synopsys Sentaurus Lithography Optical EUV PWA E-beam

Высокочастотная зондовая установка Cascade УМК - Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС Лабораторные работы: 1. «Тестовые структуры для контроля микро- и наноструктур в производстве СБИС». 2. «Контроль электрофизических параметров тестовых структур в производстве СБИС, анализ результатов контроля». УМК - Особенности создания тестовых структур СБИС Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре». 2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором». 3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами». 4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами». Измерительное оборудование Agilent, Tektronix

УМК - Технология спецсхем Лабораторные работы: 1. «Расчет напряжения пробоя элементов интегральных схем с использованием системы приборно-технологического моделирования TCAD». 2. «Расчет пробивного напряжения p-n-перехода с плавающими кольцами». 3. «Исследование латерального двухколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора средствами программ TCAD». Программный пакет приборно-технологического моделирования Synopsys (лицензия A ), США

Малогабаритная вакуумная установка МВУ ТМ-ТИС осаждения тонких пленок методом термического испарения металлов в вакууме, Россия УМК - Технологические процессы наноэлектроники Лабораторные работы: 1. «Методы контроля заряда в МОП-структуре». 2. «Исследование МОП-структур с поликремниевым затвором». 3. «Исследование МОП-структур с металлическими затворами». 4. «Исследование МОП-структур с силицидными затворами».

Установка плазмоактивируемого химического осаждения из газовой фазы «Corial D250», Франция УМК - Методы осаждения диэлектрических материалов Лабораторная работа: «Изучение процесса ПА ХОГФ пленок SiO 2 и Si 3 N 4, используемых в качестве пассивирующих покрытий ИС».

Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCAD Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E УМК - Моделирование технологических процессов и наноразмерных структур Лабораторные работы: 1. «Приборно-технологическое моделирование параметризованных транзисторных структур с проектными нормами 90 нм». 2. «Моделирование технологических процессов с применением лазерного отжига». 3. «Приборное моделирование транзистора с плавниковой структурой (FinFET)». 4. «Приборное моделирование запоминающей ячейки».

УМК - Базовая КМОП-технология Лабораторные работы: 1. «Базовый маршрут формирования КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Одномерное моделирование». 2. «Базовый маршрут КМОП-транзисторов с проектными нормами 90 нм. Двумерное моделирование». 3. «Создание проекта базового маршрута в среде SWB». 4. «Моделирование параметризованного базового маршрута формирования КМОП- транзисторов с проектными нормами 90 нм». Программно-аппаратный комплекс моделирования в среде TCAD Платформа TCAD Sentaurus Synopsys, v. E

Программные пакеты САПР Cadence УМК – Проектирование низкочастотных аналоговых ИС с топологическими нормами 90 нм УМК – Проектирование блоков цифровых наноразмерных ИС УМК – Проектирование топологии КМОП АИС с наноразмерными элементами УМК – Проектирование и верификации СФ-блоков

Малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ Плазма-РИТ реактивно-ионного травления УМК - Внутриуровневые и межуровневые диэлектрики многоуровневой металлизации СБИС

Электронно-ионный микроскоп Helios NanoLab 650, Голландия УМК - Методы диагностики наноразмерных элементов и структур Лабораторные работы: 1. «Исследование и диагностика геометрии наноразмерных структур СБИС методами растровой электронной микроскопии». 2. «Химический рентгеноспектральный микроанализ». 3. «Анализ и препарирование наноразмерных структур СБИС с применением ионного пучка».

Зондовая установка Cascade Microtech PM5 Probe System УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС

Эллипсометр HORIBA Jobin Ivon Auto Se System УМК – Особенности контроля технологических операций и межоперационного контроля СБИС