Метод изготовления нанотрубок а - слои InAs и GaAs с разными постоянными решеток (а/a=7%) в свободном состоянии b - эпитаксиальные слои, выращенные на.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой Организация-исполнитель:
Advertisements

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» Раздел Программы: 1. Физика.
Структура кристаллической решётки алмаза Структура кристаллической решётки графита.
1 Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 46: «Создание светоизлучающих.
Экспериментальная физика наноструктур Автор курса к.ф.м.н. Руднев И.А. Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Кафедра сверхпроводимости.
Атом Ядро состоит из нуклонов Протоны p + Нейтроны n 0 Электронная оболочка состоит из электронов e - Электронные слои Атомные орбитали Число нейтронов.
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИМПУЛЬСОВ Володин В.А. Качко.
NEPTUN Гибкие трубопроводы из высоколегированной стали Neptun IWS – Новый бренд на рынке инженерных коммуникаций Ассортимент: Ассортимент гофрированной.
Наши фотографии.
ИССЛЕДОВАНИЕ АМОРФНЫХ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫХ ПЛЕНОК УГЛЕРОДА, СИНТЕЗИРОВАННЫХ В ГАЗОВОМ РАЗРЯДЕ Докладчик: Чепкасов С. Ю. инженер КОФ ФФ НГУ Соавтор, руководитель:
ЛЕКЦИИ Принципы сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующий туннельный микроскоп. Атомно-силовой микроскоп.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
L – оболочка объединяет 8 состояний Конфигурация оболочки.
Белорусский Государственный Университет Кривошеев Роман Михайлович Научный руководитель: д-р ф.-м. н., профессор Комаров Ф.Ф. Преподаватель: Позняков А.М.
Генерація та помноження частоти напівпровідниковими діодами з тунельними межами Виконала Ольга Олександрівна Клименко.
Пример1 Мир
Методы ионно-лучевой обработки и нанотехнологических исследований Сарымсаков Р. Г. ИУ4-73.
Дисциплина: Силовая электроника Институт Архитектуры, строительства и энергетики им. Т.Басенова Кафедра «Энергетика» Тема: Режимы работы силовых диодов.
Синтез и свойства нанокристаллов GeSn в слоях Si и SiO 2.
ВОЛНОВАЯ ОПТИКА Формула сферического зеркалаОптическая сила линзы Оптическая сила системы двух линз, сложенных вплотную Формула тонкой линзы Оптическая.
Транксрипт:

Метод изготовления нанотрубок а - слои InAs и GaAs с разными постоянными решеток (а/a=7%) в свободном состоянии b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке c - изгиб двухслойной пленки при ее освобождении от связи с подложкой d - самосворачивание двухслойной пленки в трубку при селективном удалении жертвенного слоя AlAs, дополнительно выращенного между пленкой и подложкой 2нм < D < 100мкм

Метод изготовления наногофрированных пленок а - слой InAs в свободном состоянии; b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке; c - изгиб InAs пленки при ее освобождении от связи с подложкой при селективном удалении жертвенного слоя AlAs; d – пример организации изогнутых областей на подложке.

InGaAs/GaAs микро- и нанотрубки Трубка с D = 3 нм (рис. с) сформирована из пленки, содержащей 2 монослоя GaAs + 1 монослой InAs. Длина трубки несколько мм.

Гофрированные пленки Минимальный период гофрировки 3 нм

Электронно-микроскопические фотографии оболочек разнообразной формы а - кольцо b - изогнутые кантелеверы c - массив атомно острых игл d - зеркало (спираль Архимеда) е - трубка с модулированной толщиной стенки f - лево- и правовинтовая спирали Контакт: Виктор Яковлевич Принц