Высокорезистивные сплавы с большой электронной плотностью – отсутствие перехода Андерсона В.Ф. Гантмахер Харьков,

– принцип Иоффе-Регеля,

P.P. Edwards and M. J. Sienko, Phys.Rev. B 17, 2575 (1978) H. Endo, A. I. Eatah, J. G. Wright, and N. E. Cusack, J. Phys. Soc. Jap. 34, 666 (1973) Переходы Мотта – Андерсона 4 K

M. A. Paalanen, T.F. Rosenbaum, G.A. Thomas, R.N.Bhatt Phys.Rev.Lett.48, 1284 (1982) Экспериментальное доказательство того, что переход металл-изолятор в Si:P переход второго рода

Три экспериментальных подхода при тестировании проблемы низкотемпературное сопротивление при различной степени беспорядка температурная зависимость сопротивления сплавов с высоким остаточным сопротивлением (правило Моойа) температурная зависимость сопротивления сплавов со сравнительно малым остаточным сопротивлением, но с большой константой электрон-фононного взаимодействия (насыщение сопротивления)

Три экспериментальных подхода … (n=n0)(n=n0)

Правило Моойа температурный коэффициент сопротивления J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973)

Функция Грюнайзена Принцип Иоффе-Регеля Классические формулы при

Функция Грюнайзена T5T5

Проводимость с квантовой поправкой при

Для красных линий можно пользоваться и нижней, и верхней шкалами При g = 1 красную линию следует сместить на ln g вдоль горизонтальной оси, а пользоваться только верхней шкалой Произвольный статический беспорядок и

Возможная роль электрон-электронных столкновений В диффузионном режиме частота межэлектронных столкновений При эта частота т.е. она не вносит существенный вклад ни в классическое сопротивление, ни в частоту дефазировки. С другой стороны, квантовая поправка от ее-взаимодействия того же порядка, что и от слабой локализации. Это должно сдвинуть границу =0 в сторону меньших.

Насыщение сопротивления в материалах с сильным электрон-фононным взаимодействием Z. Fisk, G. Webb, PRL 36, 1084 (1976) J.H. Mooij, physica status solidi (a) 17, 521 (1973 ) Феноменологическая модель с шунтирующим сопротивлением

Насыщение сопротивления Предельное значение частоты электрон-фононного рассеяния !?! т.е. конечное время взаимодействия !?! vFvF

Насыщение сопротивления (грубая, но очень наглядная модель) Обычно вероятность рассеяния электрона за время dt равна вероятность того, что акт рассеяния произойдет в момент времени t, равна Предположим, что между двумя актами рассеяния должно пройти минимальное время 0. Усредним дрейфовую скорость, набранную электронами за время между столкновениями t M. Gurvitch, PRB 24, 7404 (1981)

Анизотропия насыщения сопротивления В.Ф.Гантмахер, Г.И.Кулеско, В.М.Теплинский, ЖЭТФ 90, 1421 (1986) В.Е. Зиновьев, А.Л. Соколов, П.В. Гельд и др., ФТТ 17, 3617 (1975) Уменьшение концентрации n приводит к большему значению sh sh = 2000 Ом см

Фазовая диаграмма перехода металл-изолятор для 3D-системы в осях [ управляющий параметр – температура ]