11 класс

вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит, что электрическая проводимость увеличивается c повышением температуы. - наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений.

Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями. При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и он ведет себя как диэлектрик.

Если полупроводник чистый (без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика. Собственная проводимость бывает двух видов: 1) электронная ( проводимость "n " - типа) 2) дырочная ( проводимость " p" - типа)

возникновение собственной проводимости полупроводников происходит за счет нагревания, освещения (фотопроводимость) и действия сильных электрических полей

кроме собственной проводимости сущесвует еще и примесная Наличие примесей сильно увеличивает проводимость. При изменении концентрации примесей изменяется число носителей эл.тока - электронов и дырок.

- являются дополнительными поставщиками электронов. Это проводники "n" - типа, т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда - электроны, а неосновной - дырки. Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью. - Вводится пятивалентный элемент, например мышьяк.

- создают "дырки" Это полупроводники " p "- типа, т.е. полупроводники с акцепторными примесями, где основной носитель заряда - дырки, а неосновной - электроны. Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью. - Вводится трехвалентный элемент, например - индий.

"p-n" переход (или электронно-дырочный переход) - область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот). В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой.Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.

При прямом (пропускном) направлении внешнего эл.поля эл.ток проходит через границу двух полупроводников. Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.

При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет. Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается. :

Полупроводник с одним "p-n" переходом называется полупроводниковым диодом. При наложении эл.поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико, в обратном - сопротивление мало.

Полупроводниковые приборы не с одним, а с двумя n–p-переходами называются транзисторами. Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости – коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э). Обычно объем коллектора превышает объем эмиттера. В условных обозначениях на схемах стрелка эмиттера показывает направление тока

пп