Лекционный курс «Физические основы измерений и эталоны» Раздел ИЗМЕРЕНИЯ В НАНОТЕХНОЛОГИЯХ Тема ЗОНДОВЫЕ МИКРОСКОПЫ. СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (2)
Advertisements

Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (3)
Нобелевская премия по физике,1986 г.. Физика поверхностных явлений в настоящее время является одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки.
Сканирующая зондовая микроскопия. Определения Сканирующая зондовая микроскопия – физический метод исследования поверхностных слоев с нанометровым разрешением,
Лекция 3 Сканирующая туннельная микроскопия План: 1. Эффект туннелирования через потенциальный барьер. 2. Принцип работы туннельного микроскопа. 3. Зонды.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
ОБОРУДОВАНИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ В начале ХХ века появилась идея изучать вещество, не увеличивая визуально исследуемую площадь его поверхности, а как бы трогая.
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film * N.V. Khotkevych*, Yu.A. Kolesnichenko*, J.M. van Ruitenbeek** *Физико-технический институт.
В 1826 году немецкий физик Георг Симон Ом установил закон (получивший впоследствии его имя), который определяет связь между электрическим током, текущим.
Уравнение Шредингера Стационарные состояния такие состояния, в которых плотность вероятности не зависит от времени. U U(t). Для пространственной части.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Методы сканирующей зондовой микроскопии Мунавиров Б.В., Физический факультет, КГУ.
Лекция 7 Пьезоэлектрический способ возбуждения возбуждения и регистрации акустических волн Наиболее распространенным способом возбуждения и регистрации.
Лекция 10 Пьезоэлектрические преобразователи Пьезопреобразователи – электромеханические преобразователи, принцип действия которых основан на пьезоэлектрическом.
Модуль 5 Лекция 401 Микрочастица (электрон) в потенциальной яме с бесконечно высокими стенками Одномерная задача: частица движется во внешнем силовом поле,
Туннельный эффект и его применение в Сканирующей Туннельной Микроскопии (СТМ) Шарипов Камиль Шарипов Камиль. Казанский клуб нанотехнологий.
Туннельный эффект. Квантовый осциллятор Лекция 3 Весна 2012 г. Лектор Чернышев А.П.
ЛЕКЦИИ Принципы сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующий туннельный микроскоп. Атомно-силовой микроскоп.
Тема 4. ДИЭЛЕКТРИКИ В ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОМ ПОЛЕ 4.1. Поляризация диэлектриков 4.2. Различные виды диэлектриков 4.3. Вектор электрического смещения 4.4. Поток.
Транксрипт:

Лекционный курс «Физические основы измерений и эталоны» Раздел ИЗМЕРЕНИЯ В НАНОТЕХНОЛОГИЯХ Тема ЗОНДОВЫЕ МИКРОСКОПЫ. СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП.

Сканирующий туннельный микроскоп Г. Бинниг и Х. Рорер, (IBM Цюрих) в 1986 г. получили Нобелевскую премию по физике «за разработку сканирующего туннельного микроскопа" Rohrer Binnig

СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП

Сканирующий туннельный микроскоп STM-TOKAMAK-2 РНЦ «Курчатовский институт»

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ Падение пучка электронов на прямоугольный потенциальный барьер высотой U 0, при котором полная энергия частиц E

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ Решение волнового уравнения слева от барьера - сумма падающей и отраженной волн: Решение справа от барьера – прошедшая волна Решение в области барьера: Квадрат модуля – коэффициент прозрачности барьера:

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ Для электронов на уровне Ферми вероятность прохождения через потенциальный барьер (величина туннельного тока ) : ЗОНД

( ОБРАТНЫЙ ) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ Возникновение механических деформаций ( в полярных диэлектриках ) под действием электрического поля В природных пьезоэлектриках (кварц, турмалин) величина пьезоэффекта мала

ИСКУССТВЕННОЕ ПОЛУЧЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЬЕЗОКЕРАМИК Например, на основе титаната бария BaTiO 3 В сегнетоэлектриках – области спонтанной поляризации (домены Вейса) До обработки домены ориентированы хаотически При высокой температуре в электрическом поле Остаточная поляризация пьезокерамики + -

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИВОД ЗОНДА Пластина из пьезокерамики во внешнем электрическом поле Трубчатый пьезоэлемент Сканирующий элемент в виде трипода, собранный на трубчатых пьезоэлементах

Перемещение зонда с помощью пьезопривода Перемещение зонда с помощью пьезопривода ЗОНД Растровое сканирование с точностью смещения ± 0.05 Å

Два режима сканирования 1. Режим постоянного тока

Два режима сканирования 2. Режим постоянной высоты

Блок-схема сканирующего туннельного микроскопа Пьезокристаллы Напряжение на пьезокристаллах Потенциал зонда ЗОНД Усиление туннельного тока Управление сканированием Построение изображения Образец

ОДИН рабочий атом на острии зонда !! d 6 Å I t уменьшается в 10 раз при увеличении d на 1 Å.

Изображение держателя и зонда Изображение зонда из SiO 2

Расположение атомов на поверхности монокристалла кремния

Атомы йода на поверхности платины в сканирующем туннельном микроскопе Отсутствует атом йода

Полированная поверхность медной детали в сканирующем туннельном микроскопе

Изображение углеродной нанотрубки в СТМ Диаметр нанотрубки – 1,2 нм

Атомы Fe на кристалле Cu(111) при 4К формируют «квантовый коралловый риф диаметром 14,3 нм. На изображении отражены изменения плотности электронных состояний. Двумерная квантовая яма (электронные потенциальные поверхности)

Микро- механическая сборка в СТМ (молекулы СО на платине)

Микро-механическая сборка в СТМ (атомы ксенона на никеле)

КОНЕЦ ЛЕКЦИИ