Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (2)

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Лекционный курс «Физические основы измерений и эталоны» Раздел ИЗМЕРЕНИЯ В НАНОТЕХНОЛОГИЯХ Тема ЗОНДОВЫЕ МИКРОСКОПЫ. СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП.
Advertisements

Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (3)
Нобелевская премия по физике,1986 г.. Физика поверхностных явлений в настоящее время является одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки.
Уравнение Шредингера Стационарные состояния такие состояния, в которых плотность вероятности не зависит от времени. U U(t). Для пространственной части.
Лекция 3 Сканирующая туннельная микроскопия План: 1. Эффект туннелирования через потенциальный барьер. 2. Принцип работы туннельного микроскопа. 3. Зонды.
В 1826 году немецкий физик Георг Симон Ом установил закон (получивший впоследствии его имя), который определяет связь между электрическим током, текущим.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Методы сканирующей зондовой микроскопии Мунавиров Б.В., Физический факультет, КГУ.
Сканирующая зондовая микроскопия. Определения Сканирующая зондовая микроскопия – физический метод исследования поверхностных слоев с нанометровым разрешением,
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film * N.V. Khotkevych*, Yu.A. Kolesnichenko*, J.M. van Ruitenbeek** *Физико-технический институт.
ОБОРУДОВАНИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ В начале ХХ века появилась идея изучать вещество, не увеличивая визуально исследуемую площадь его поверхности, а как бы трогая.
Туннельный эффект и его применение в Сканирующей Туннельной Микроскопии (СТМ) Шарипов Камиль Шарипов Камиль. Казанский клуб нанотехнологий.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 10 8 В/см, в.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Элементы квантовой механики. Основы ядерной физики.
Электронная и туннельная микроскопия Выполнила : Молодан Юлия У 4-02.
Туннельная и атомная силовая микроскопия Фомичева Мария, 13604, ИПММ 2014.
Презентация по биологии Микроскоп От лупы до электроники Подготовили: Косинец Андрей Хахулин Алексей.
ЛЕКЦИИ Принципы сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующий туннельный микроскоп. Атомно-силовой микроскоп.
Транксрипт:

Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (2)

Сканирующий туннельный микроскоп Г. Бинниг и Х. Рорер, (IBM Цюрих) в 1986 г. получили Нобелевскую премию по физике «за разработку сканирующего туннельного микроскопа"

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ Для электронов на уровне Ферми вероятность прохождения через потенциальный барьер (величина туннельного тока ) :

Принцип сканирующей туннельной микроскопии Очень тонкое металлическое острие

Блок-схема сканирующего туннельного микроскопа

Изображение держателя и зонда Изображение зонда из SiO 2

Атомы йода на поверхности платины в сканирующем туннельном микроскопе Отсутствует атом йода

Полированная поверхность медной детали в сканирующем туннельном микроскопе

Атомы Fe на кристалле Cu(111) при 4К формируют «квантовый коралловый риф диаметром 14,3 нм. На изображении отражены изменения плотности электронных состояний. Двумерная квантовая яма (электронные потенциальные поверхности)

Микро- механическая сборка в СТМ (молекулы СО на платине)

Микро-механическая сборка в СТМ (атомы ксенона на никеле)