КАЗАХСТАНСКИЙ ФОРУМ ЭНЕРГЕТИКОВ Алматы, 1 ноября 2011 ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ М.Б.Дергачева, К.А.Уразов Казахсанско-Британский.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Методология моделирования фотоэлектрических процессов для оптимизации технологии халькогенидных тонкопленочных полупроводниковых структур солнечных элементов.
Advertisements

Институт прикладной физики РАН Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы Нижний Новгород, 2005г.
Конкурс У.М.Н.И.К. Исследование колебаний кремневодородных связей в тонких пленках аморфного гидрогенезированного кремния методами Рамановский и ИК-спектроскопии.
Руководитель проекта Богданов Сергей Александрович к.т.н., доцент ООО «Эко Энерджи», создано в рамках 217 ФЗ.
Разработка фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния с конкурентными на мировом рынке энергетическими и экономическими показателями.
Объемный гетеропереход на основе нанокомпозитных тонких пленок C 60 CdS. Е.И. Супрун студ. СПбГПУ, каф. ФППиНЭ, И.Б. Захарова к.ф.-м. н, доц., СПбГПУ,
Национальная академия наук Республики Беларусь Институт физики им. Б.И. Степанова Космос-НТ, Программное мероприятие 3.4, Договор 232, доп. согл
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИМПУЛЬСОВ Володин В.А. Качко.
Солнечная энергия Солнечная энергетика направление нетрадиционной энергетики, основанное на непосредственном использовании солнечного излучения для получения.
Харьковский национальный университет радиоэлектроники Кафедра МЭПУ «ИМПУЛЬСНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ» Руководитель: ст. гр. ЕППм-11-1.
Пи-сопряженный полимеры и фотоэлементы на их основе. Выполнил студент 218 группы Гамов Артемий Львович Научные руководители: д.ф.-м.н., проф. Махаева Е.Е.
Московский Энергетический Институт ( технический университет ) Кафедра полупроводниковой электроники МЭИ (ТУ) Кафедра ППЭ.
«Разработка и апробация образовательных модулей инженерно- технического направления для обеспечения подготовки по программам дополнительного профессионального.
Студент гр. Мт Сурат С.А.. Определение возможности получения оксидных литий- вольфрамовых соединений; Проведение электронно-микроскопических исследований.
Белорусский государственный университет Физический факультет Кафедра атомной физики и физической информатики Электрофизические свойства водородосодержащих.
Влияние технологических параметров осаждения на фазовый состав тонких пленок микрокристаллического кремния, полученных методом PECVD В. Л. Кошевой 1, В.
«Зеленая» электроэнергия высокоэффективной п ьезогенерации Получено прорывное решение, связанное с пьезогенерацией электрической энергии, открывающее новый.
Новые композиционные наноматериалы с проводимостью по ионам лития и электронам на основе двойных фосфатов Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова.
ПЛАЗМОТРОНЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ УО «БРЕСТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ СТАБИЛЬНОСТИ СТРУКТУРЫ И МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТИТАНА В СУБМИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ СОСТОЯНИИ, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ABC- ПРЕССОВАНИЯ.
Транксрипт:

КАЗАХСТАНСКИЙ ФОРУМ ЭНЕРГЕТИКОВ Алматы, 1 ноября 2011 ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ М.Б.Дергачева, К.А.Уразов Казахсанско-Британский технический университет Алматы , Толе Би,59 Институт органического катализа и электрохимии им. Д.В.Сокольского Алматы Кунаева

Рост совокупной установленной мощности фотоэлектрических преобразователей

К 2031 году в мире планируется иметь совокупную установленную мощность фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) в 1700 ГВатт (для сравнения - в 2000 г. эта цифра равнялась МВатт, а в 2004 г. – 1256 МВатта)

К 2040 г. «солнечная» энергетика должна занять заметную долю (~ 30%) в общемировом балансе произведенной электроэнергии.

Циклический характер развития электронной промышленности свидетельствует, о возможном спаде и понижении спроса на полупроводниковые материалы. Промышленно развитые государства, базируясь на 30 - летней истории развития ФЭП, инвестируют их производство и стремятся ослабить свою зависимость от поставщиков традиционных энергоносителей. ГодыСтоимость 1 ВТ (Wp) $ $ $ Стоимость киловатт-часа эл. энергии, полученной с помощью ФЭП, хотя и снижается, но остается довольно высокой.

Производство ФЭП по видам технологии и типам используемых материалов

1 мм 0,2 Ni CdTe CdS стекло 2,6 см 4 мкм 1 0,2 мкм 0,01 3 мкм 1 СХЕМА ФОТОЭЛЕМЕНТА стекло/SnO 2 /CdS/CdTe

Установка и проверка солнечной панели на основе CdS/CdTe

Сборка панели с большей площадью

Разработка способа изготовления тонкопленочного солнечного элемента

Содержание основных элементов в пленке CuInSe 2 после обработки в аргоновой плазме ( ат. %). Потенциал, мВ Вид обработки CuSeIn Ar-плазма 150 о С 18,5143,3015, Ar-плазма 150 о С 19,1040, Ar-плазма 150 о С 19,3043,4621,23 Для исследования влияния термического отжига в аргоновой плазме и аргоне на состав, морфологию, кристалличность и размер зерен пленок CuInSe 2 их получали методом электроосаждения в потенциостатическом режиме в широком диапазоне потенциалов от -0,25 В до –0,6 В.

Спектр РФА электроосажденной пленки CuInSe 2 на Mo-электроде

Микрофотографии электроосажденных пленок CuInSe 2 на Мо-пластинках

1)Разработана технология получения тонких пленок CdS химическим методом. 2)Разработана технология получения стекла покрытой проводящей тонкой пленкой молибдена, с помощью магнетронного напыления. 3)Разработан метод электрохимического осаждения тройного соединения. 4)В разработке получения пленок медь-индиевого диселенида есть возможность изменять состав соединения, а точнее частично заменить индий на галлий. Это даст возможность увеличить ширину запрещенной зоны полупроводниковой пленки. 4)Дальше эти технологии будут развиваться и прогнозируемая эффективность преобразования фотоэлемента на основе тройного соединения будет составлять около 14-15%.

Спасибо за внимание!