Нанотехнологии - будущее современного общества. На физико-математическом факультете готовят специалистов в этой области на специализации «Физика наноструктур»

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Межвузовская лаборатория высоких технологий Московского государственного университета и Чувашского государственного университета.
Advertisements

Диод - вакуумный или полупроводниковый прибор, пропускающий электрический ток только одного направления и имеющий два вывода для включения в электрическую.
ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный.
Институт прикладной физики РАН Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы Нижний Новгород, 2005г.
Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 10 8 В/см, в.
Электрический ток в различных средах. План: 1.Вакуум. Явление термоэлектронной эмиссии 2.Вакуумный диод и триод 3.Электронно – лучевая трубка, кинескоп.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий зондовый микроскоп NanoEducator (СЗМ) Контактная литография.
Электрический ток в различных средах. ВОПРОСЫ: 1.Вакуум. Явление термоэлектронной эмиссии 2.Вакуумный диод и триод 3.Электронно – лучевая трубка, кинескоп.
Подготовил ученик 10 класса Мельник Валерий. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК ПРОВОДЯТ ТВЕРДЫЕ, ЖИДКИЕ И ГАЗООБРАЗНЫЕ ТЕЛА. ПЕРЕДАЧУ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ОТ ИСТОЧНИКОВ ТОКА.
Дома:§120 1.Термистор.2.Фоторезистор. 3.Транзистор. Солнечная батарея. 4. Почему при изготовлении полупроводниковых материалов исключительное внимание.
Определение удельного заряда электрона Нижний Новгород 2014 г. Выполнил: Тотров Дмитрий, ученик МБОУ лицей 38 группа 2 Научный руководитель: Учитель физики.
Нанотехнологии Виктория Сойко TVTB17. Общее понятие Нанотехноло́гия междисциплинарная область фундаментальной и прикладной науки и техники, имеющая дело.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Электрический ток вакууме Термоэлектронная эмиссия. Электронно-лучевая трубка.
Разработка технологий повышения эксплуатационных свойств циркониевых конструкционных элементов ядерных энергетических реакторов Б.В. Бушмин, В.С. Васильковский,
Электрический ток в вакууме. Электронная эмиссия. Двухэлектродная лампа - диод. В металлах есть электроны проводимости. Средняя скорость движения этих.
Федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на годы, направление «Физика конденсированных сред.
2530 Всего заданий Время тестирования мин. Готовимся к ЕНТ Готовимся к ЕНТ Автор: Макарова Е.Г. школа-гимназия 17 г.Актобе Электрический ток в различных.
Научно-исследовательская практика
Создание лаборатории метрологии и сертификации нанопродукции.
Транксрипт:

Нанотехнологии - будущее современного общества. На физико-математическом факультете готовят специалистов в этой области на специализации «Физика наноструктур»

Спектроэллипсометр - инструмент для определения оптических характеристик наноструктурированных пленок

Подготовка к эксперименту

Освоение компьютерного моделирования в лаборатории «Высоких технологий» физико- математического факультета

Работа на учебном туннельном микроскопе

Студенты физико-математического факультета осваивают вакуумную технологию

Научная работа ведётся на базе Межвузовской лаборатории «Высоких технологий» Чувашского и Московского госуниверситетов

Межвузовская лаборатория высоких технологий Московского государственного университета и Чувашского государственного университета

Последние разработки лаборатории это легированные углеродные пленки с изменением электрических свойств - от проводника до изолятора. Среди них особенное место занимают пленки линейно- цепочечного углерода

Модель пленки линейно-цепочечного углерода σ1σ1 σ2σ2 Удельное проводимость вдоль углеродных цепочек σ1 и перпендикулярно σ2 различаются на шесть порядков σ1 /σ2 ~10 6.

σ- связь π - связь Фрагмент участка молекулы ЛЦУ Электронная структура молекулы линейно-цепочечного углерода

ТвердостьВарьируется от 4000 до 9000 HV Адгезия Адгезия на большинстве подложек (включая нержавеющую сталь, стекло, силиконовую резину) сильнее связей внутри подложки Толщина пленки До 10 мкм (на твердых подложках). Рекомендуемая толщина для большинства применений А Скорость роста пленки 1000 А/мин Покрываемые площади До 150х150 мм. Более крупные детали могут покрываться при их вращении. Износостойкость Чрезвычайно высокая, при малых нагрузках износостойкость ЛЦУ превосходит алмазоподобные пленки в 2.5 раза Морфологическа я поверхность Очень гладкая и однородная поверхность, шероховатость порядка 1 А Коэффициент трения

Применение разработок ученых физико-математического факультета

Пленка линейно-цепочечного углерода свободно лежащая на пленке золота имеет атомно-гладкую поверхность Пленка золота

50Å Плотность записи зависит от выбора площади записывающего электрода. На рисунке представлена структура поверхности пленки полученная атомно-силовым методом. Расстояние между цепочками Углерода равно 5Ǻ. выделенный круг предполагаемый диаметр электрода равный ~50Ǻ. В этом случае плотность записи составит бит /мм 2. 5Å5Å

Применение разработок ученых физико-математического факультета

Сворачиваемость крови на поверхностях различных материалов

тромборезистентность биосовместимость бактериоцидность и бактериостатичнось

Вживлен полимер покрытый ЛЦУ Полимер извлечен

Вживлен объект из нержавеющей стали Объект извлечен

Височно- нижнечелюстное эндопротезирование

Применение разработок ученых физико-математического факультета

Изменение электрических свойств пленок линейно-цепочечного углерода Вольт-амперная характеристика пленки, легированной азотом Вольт-амперная характеристика пленки, легированной серой

Вольт-амперная характеристика диода с пленкой линейно- цепочечного углерода, легированной серой, с использованием в качестве барьера плёнки ta-C Толщина плёнки линейно- цепочечного углерода 500Å,толщина плёнки ta-C 200 Å электроды Действующая модель диода

Применение разработок ученых физико-математического факультета

расстояние между цепочками углерода 5Å углерод 0,67 Å 1,45Å 2,1Å атом серебра Пространственная структура пленки линейно-цепочечного углерода позволяет интеркалировать (внедрять) атомы других элементов

Пленка линейно- цепочечного углерода Пленка серебра Кварцевое стекло Схема эксперимента по интеркалированию

Интеркалирование атомов серебра в пленку ЛЦУ Термообработка при С Топограммы поверхности до и после термообработки

Применение разработок ученых физико-математического факультета

Электронная эмиссия пленки ЛЦУ Измерения проведенные в лаборатории МГУ Измерения проведенные в лаборатории фирмы Samsung

Стрелкой указано свечение 4 ваттной лампы накаливания Использование эмиссионных свойств пленки

Опытный образец светильника

Тип высокоэффектив ных экономичных источников света Максима льная яркость, лм Световая эффектив ность, лм/Вт Срок службы, тыс.ч. Лампы накаливания Галогенные лампы накаливания Газонаполненные люминесцентные лампы Источники света с холодным катодом на основе ЛЦУ

Материа л Работа выход а электр онов (эВ) Пор ог эмис сии (кВ/ мм) Плотность тока (А/см 2 ) Крутизна вольт-амперной характеристики (мА*мм/кВ*cм 2 ) (при I = 4.5 mA/cм 2 ) Нанотру бки х10 -3 при 5.0 кВ/мм 3.6 Микрогр афит х10 -3 при 5.0 кВ/мм 5.6 а-алмаз 560.3х10 -3 при 8.5 кВ/мм 2.5 ЛЦУ х10 -3 при 1.1 кВ/мм 43.5

УСТАНОВКА ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО СИНТЕЗА ПЛЕНОК ЛИНЕЙНО-ЦЕПОЧЕЧНОГО УГЛЕРОДА в лаборатории физико-математического факультета