Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Лекция 15. Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника. Масштабирование при уменьшении планарных размеров. Диэлектрики с высокой.
Advertisements

Полупроводниковые микросхемы В настоящее время различают два класса полупроводниковых ИМС: биполярные и МДП ИМС в зависимости от используемых транзисторов.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский ядерный университет.
Типы полевых транзисторов 1. с изолированным затвором - МДП - транзисторы - МНОП – элементы памяти - МДП – транзисторы с плавающим затвором - Приборы.
Масштабирование, микроминиатюризация и физические ограничения в полупроводниковой микроэлектронике.
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими.
Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. Подготовил студент 3 курса группы Лебедев П.А.
Полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП- транзисторов.
Доклад на тему Приборы с зарядовой связью Выполнил Ситников Виталий.
Литография и контактная фотолитография. Позитивные и негативные фоторезисторы.
ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ Лекция-12 НИЯУ МИФИ ФАКУЛЬТЕТ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ Кафедра 70.
РЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ.
Доклад на тему Полевые транзисторыПолевые транзисторы Выполнил: студент 3-го курса ФТФ гр Крюков Дмитрий Сергеевич.
Выполнили: Миков А.Г., Пронин Е.Х. Руководитель: Гуртов В.А. Полевые Транзисторы 01 Старт !
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ переподготовки в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами.
Диэлектрические пленки. Диэлектрические пленки – тонкий слой материала, обладающий высокими электроизоляционными свойствами, механической прочностью,
Полевые транзисторы. Оглавление 1. Полевые транзисторы. 2. Оглавление. 3. Схемы МДП-транзисторов. 4. Цифровые фотографии полевого транзистора.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ Физика конденсированного состояния.
Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП- транзисторов (Флеш памяти)
Эпитаксия. Эпитаксия - процесс выращивания тонких монокристаллических слоев на монокристаллических подложках. Материал подложки в этом процессе выполняет.
Транксрипт:

Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью. Фотолитография, селективное травление. Легирование и активация примеси. Последовательность технологических операций (на примере МДП-транзистора).

Свойства и рост плёнок SiO 2 на кремнии 1.Плотность поверхностных состояний на гетерогранице Si-SiO 2. 2.Пробивные напряжения диэлектрика, накопление заряда в диэлектрике. 3.Рост плёнок SiO 2. CVD, PECVD (низкие температуры). 4.Окисление. 5.Механизмы окисления, модель Дила и Гроува. Сухое и влажное окисление.

Металлизация Количество слоёв металлических разводок в СБИС достигает двух десятков. Отсюда – проблема паразитных ёмкостей. Проблема создания диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью – low-k dielectrics. Металлизация с помощью меди. Проблема пассивации.

Фотолитография

Фотошаблоны, фоторезисты Типы фото-экспонирования – контактный и посредством оптической схемы.

Селективное травление Идеальная схема травления и аномалии травления.

Введение и активация примеси Ионная имплантация. Диффузия примеси при нагреве. Проблема создания сверх-мелких p-n переходов. Импульсный нагрев. Лампы-вспышки, импульсные лазеры.

Изготавливаем МДП-транзистор 1.Подложка p-типа. Окисляем на нужную толщину. 2.Фотолитография, формируем подзатворный диэлектрик в нужном месте. 3.Вводим и активируем примесь донорного типа. Формируем области истока и стока n- типа. 4.Фотолитография, формируем металлические контакты – сток, исток и затвор. 5.Сверху защищаем диэлектриком. Каждый пункт – несколько технологических операций!