Лекция 5. Примеси в полупроводниках. Появление состояний в запрещённой зоне при введении примесей. Доноры и акцепторы. Мелкие или водородоподобные примеси.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Лекция 4. Статистика электронов и дырок в полупроводниках Тепловое возбуждение носителей заряда. Собственные и примесные полупроводники. Распределение.
Advertisements

Концентрация носителей заряда в собственных полупроводниках.
Полупроводники Зависимость сопротивления полупроводников от температуры Электронная и дырочная электропроводность Собственная и примесная проводимости.
ПОЛУПРОВОДНИКИ Собственная и примесная проводимость.
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
0 «Три вещи» для запоминания прямо сейчас Микроскопическое выражение для плотности тока Закон Ома в дифференциальной форме.
Кузнецов Георгий Фридрихович учитель физики МБОУ «Ижемская СОШ»
Электрофизические свойства полупроводников Лектор – профессор кафедры Электроника Абдуллаев Ахмед Маллаевич Кафедра находится в комнате 323. Лекция 1.
Электрическая проводимость полупроводников при наличии примесей. Выполнила ученица 10 класса МОУ СОШ 15 Комарова Анастасия.
Полупроводники – это вещества, у которых удельное сопротивление с увеличением температуры не растет, как у металлов, а, наоборот, чрезвычайно резко уменьшается.
Генерация и рекомбинация Генерация – явление возбуждения электрона из V-зоны или примесного уровня, сопровождающееся появлением дырки. Темп генерации обозначается.
Электрический ток в полупроводниках. Разные вещества имеют различные электрические свойства, по электрической проводимости их можно разделить на 3 основные.
Полупроводники Учитель физики и информатики Малинин М.В.
Электрический ток в полупроводниках. Полупроводники- вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками.
Электрический ток в полупроводниках Выполнила ученица 10 б Динмухаметова Диана.
Электропроводность полупроводников и её виды. Собственная и примесная проводимость полупроводников Цель урока: углубить представления о строении вещества;
11 класс вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит,
МБОУ «Большеусинская СОШ» Полупроводники Электрический ток в полупроводниках Изучение нового материала Автор презентации Учитель физики Рогожников В.Г.
Презентация к уроку «Электрический ток в полупроводниках»
Литература Трофимова Т.И. Курс физики. Учебное пособие.- § 240 – 244, 249,250.
Транксрипт:

Лекция 5. Примеси в полупроводниках. Появление состояний в запрещённой зоне при введении примесей. Доноры и акцепторы. Мелкие или водородоподобные примеси. Легированные полупроводники n и p типов, примесная зона. Электронейтральность, нахождение уровня Ферми при заданной концентрации доноров и акцепторов. Зависимость концентрации свободных носителей заряда от температуры в легированных полупроводниках. Истощение примеси.

Водородоподобые центры

Мелкая примесь Энергия ионизации донора. Кулоновский потенциал. Приближение эффективной массы. Водородоподобные уровни. Здесь - диэлектрическая проницаемость. Положение уровня Ферми от температуры Истощение примеси

Энергии ионизации некоторых примесей в наиболее распространённых полупроводниках PAsSb Si Ge BAlGaIn Si Ge Энергии ионизации акцепторов в германии и кремнии (эВ) Энергии ионизации доноров в германии и кремнии (эВ)

Образование примесной зоны Перекрытие волновых функций водородоподобных центров. Простые оценки. N>1/a 3 Изменение энергии ионизации акцепторной примеси бора с ростом его концентрации в кремнии.

Статистика электронов и дырок реальных полупроводников. Термосопротивления. Неравновесная статистика. Компенсация, глубокие центры. Экспериментальные методы примесного контроля. Термосопротивления, болметры. Отклонение от равновесного распределения. Время жизни неравновесных носителей заряда. Понятие квази-уровня Ферми.

Компенсация Глубокие центры – ловушки для свободных электронов и дырок. 1)Изготовление полупроводников с собственным типом проводимости. 2)Изменение времени жизни носителей заряда. Неравновесные, квазиравновесные условия. Понятие квазиуровня ферми. Термосопротивления, болометры.