Презентация по предмету: «Микрооптоэлектроника» Выполнили студенты гр. 21306 Никульшин Вячеслав Ильина Виктория ПетрГУ 2012.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Презентация по предмету: «Микрооптоэлектроника» Выполнил: Кобяков В. И. гр Тема: Тиристоры ПетрГУ 2011.
Advertisements

Тиристоры Выполнили студентки гр Лепко А., Лобанова А.
ПОДГОТОВИЛИ СТУДЕНТЫ 3 КУРСА Крупянский Юрий и Товпенец Никита.
ТИРИСТОРЫ Докладчики: Цеков А.В. Панюков Ю.А.. Тиристором называют полупроводниковый прибор, состоящий из четырех последовательно чередующихся областей.
* ** - это полупроводниковый прибор с тремя и более р-n переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным.
ТИРИСТОРЫ Выполнили : Тимохов Е. Г., Гоголева А. Н., Ламкин Д. С. Преподаватель : Гуртов В. А.
Тиристоры Костяков Алексей Группа Тиристор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя или более p-n-переходами.
Тиристоры. Выполнил: Карабутов В.А, группа
Тиристоры Докладчики: студенты группы Гардер Александр Стафеев Федор Лебедев Константин Начать просмотр.
Тиристоры Выполнили студенты гр Кемпи А. Пархоменко А.
Полупроводниковые и микроэлектронные приборы Тиристоры.
Тиристоры Доклад на тему студентки Митиной Ирины гр
Тема: Полупроводниковые диоды на основе p-n переходов и барьеров Шоттки. Выполнили студенты: Татаренко А.М Калинин Т.А
Диоды на основе p-n перехода Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. Существуют следующие типы полупроводниковых.
Лекция 4 Т и р и с т о р ы Принцип действия тиристора Тиристор – это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более p-n.
Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей.
Биполярный транзистор. Введение Биполярными транзисторами называются полупроводниковые приборы с двумя очень близко расположенными и взаимодействующими.
Характеристики идеального диода на основе p-n перехода. Полупроводниковый диод Нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней.
1 Тема урока: « Эквивалентные схемы. Параметры биполярных транзисторов.
Презентация по теме: «Полупроводниковые диоды» Выполнили: Бармин Р.А. Гельзин И.Е.
Транксрипт:

Презентация по предмету: «Микрооптоэлектроника» Выполнили студенты гр Никульшин Вячеслав Ильина Виктория ПетрГУ 2012

Тиристор представляет собой четырехслойный р1-n1-р2-n2 прибор, содержащий три последовательно соединенных р-n перехода (П1, П2 и П3).

в состоянии закрыто

в состоянии открыто

Для реализации тиристорного эффекта в 4-х слойных p-n- p-n – структурах необходимо введение рекомбинационных центров в эмиттерные переходы тиристора.

М - коэффициент ударной ионизации, определяемый как количество носителей, рожденных при лавинном умножении одной частицей, UМ - напряжение лавинного пробоя. Умножение в коллекторе может служить причиной накопления объемных зарядов в базах тиристора. С формальной точки зрения, умножение в коллекторе эквивалентно росту коэффициента передачи и величине коллекторного тока.

Полупроводниковый прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором. Полупроводниковый прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором.

Режим обратного запирания. Режим прямого запирания. Режим прямой проводимости. Режим обратного запирания. Режим прямого запирания. Режим прямой проводимости.

Включение динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора. В тринисторе напряжение включения может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом. Конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода. Включение динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора. В тринисторе напряжение включения может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом. Конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода.

Семистор- полупроводниковый прибор с симметричной ВАХ, имеющей участок с отрицательным дифференуиальным сопротивлением и реализующий два бистабильных состояния. Семистор- полупроводниковый прибор с симметричной ВАХ, имеющей участок с отрицательным дифференуиальным сопротивлением и реализующий два бистабильных состояния.

Диак Триак

Полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий на ВАХ область с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий на ВАХ область с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

a) тиристор-диод, b) динистор c) запираемый тиристор; d) семистор a) тиристор-диод, b) динистор c) запираемый тиристор; d) семистор

Электронные ключи Управляемые выпрямители Преобразователи (инверторы) Регуляторы мощности (триммеры) CDI Электронные ключи Управляемые выпрямители Преобразователи (инверторы) Регуляторы мощности (триммеры) CDI