Исследование процессов формирования наноразмерных структур в полупроводниковых и диэлектрических кристаллов единичными тяжелыми ионами высоких энергий А.С. Варданян Институт радиофизики и электроники НАН РА, Лаборатория физики твердого тела

Структурные нарушения в объеме сапфира при облучении ионами висмута (S e =41 кэВ/нм) ПЭМ-изображение кристалла сапфира, облученного ионами Bi с энергией 710 МэВ и электронно-дифракционное изображение трековой области. Диаметр наблюдаемых разупорядоченных областей составляет 3-4 нм.

изображения микроструктуры MgAl 2 O 4, облученной ионами Kr(430 МэВ) до флюенса 1, см -2 в геометрии cross-section (а) и горизонтальной проекции (б) а б Латентные треки в MgAl 2 O 4

где T e, T, C e, C(T) и K e, K(T) – температура, теплоемкость и теплопроводность электронной и атомной подсистемы, соответственно, g –константа электрон-фононного взаимодействия, B(r,t) - плотность энергии, выделяемой ионом в электронной подсистеме, Величина g связана с a соотношением a = C e /g = 4 нм, Т Т испарения в области r = 2 нм = 8 нм, Т Т плавления в области r = 2 нм средняя длина свободного пробега электрона Зависимость температуры от времени на различном расстоянии от оси траектории иона висмута в Al 2 O 3 при S e = 41 кэВ/нм для =4 нм и 8 нм. Оценка температуры в области трека ионов Bi в Al 2 O 3 в модели термического пика. (TSPIKE02, M. Toulemonde et al, Nucl. Instr. Meth., 2000, B , p )

Спасибо