Гранулированные металлы. X.Yu, M.B.Duxbury, G.Jeffers, M.A.Dubson, Phys.Rev. B 44, 13163 (1991) In, напыленный на SiO 2 при комнатной температуре.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Проводимость [ 1 cm 2-d ] Кондактанс Y [ 1 ] Безразмерный кондактанс y L ребро куба Скейлинговая гипотеза ( Для описания перехода металл-изолятор ? При.
Advertisements

Целочисленный квантовый эффект Холла B. В сильном магнитном поле электрон локализован в окрестности своей классической орбиты Электрон дрейфует поперек.
Структура примесной зоны Зона проводимости Валентная зона Уровень изолированного донора Уровень изолированного акцептора Электрические поля заряженных.
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film * N.V. Khotkevych*, Yu.A. Kolesnichenko*, J.M. van Ruitenbeek** *Физико-технический институт.
Электрический ток в полупроводниках. Разные вещества имеют различные электрические свойства, по электрической проводимости их можно разделить на 3 основные.
Детерминированное возбуждение одиночных ридберговских атомов на основе дипольной блокады и лазерных импульсов с чирпом частоты I.I.Beterov et al., Phys.
Высокорезистивные сплавы с большой электронной плотностью – отсутствие перехода Андерсона В.Ф. Гантмахер Харьков,
Исследование характеристик высокотемпературного одноэлектронного транзистора на основе наноструктур с одиночной квантовой точкой Организация-исполнитель:
Фазовые переходы в присутствии ферми-конденсата. Попов К.Г. Отдел математики, Коми НЦ, УРО, РАН.
Элементы теории перколяции. Аппроксимация эффективной среды Считая, что по-прежнему и Если проводимости ik всех связей разные, то нужно усреднить выражение.
Исследование влияния ядерной среды на характеристики протон-протонного рассеяния при энергии 1 ГэВ О.В. Миклухо ПИЯФ, Проект МАП-2, 2011.
Образовательный семинар для аспирантов и студентов, ИФМ РАН, 24 февраля 2011 Квантово-размерные эффекты и зарождение сверхпроводимости в гибридных структурах.
Квантовые поправки к проводимости Слабая локализация и межэлектронное взаимодействие Два типа электронного рассеяния: Упругое с вероятностью 1/ Выражение.
Флуктуационные свойства длинного джозефсоновского контакта длинного джозефсоновского контакта Аспирант 2 года Ревин Аспирант 2 года Ревин Леонид Сергеевич.
Прыжковая проводимость. Примеры локализованных состояний I. Центрально-симметричная прямоугольная трехмерная потенциальная яма II. Прямоугольная одномерная.
Неравновесный отклик низкотемпературных сверхпроводящих пленок на поглощение оптического излучения Зотова Анна.
Интерференция атомных состояний и загадочное поведение метастабильного атома водорода, движущегося вблизи поверхности металла Ю.Л. Соколов ( ),
По материалам обзора В.Ф. Гантмахера и В.Т. Долгополова УФН 180, 3 (2010) Квантовые фазовые переходы сверхпроводник – изолятор XVIII УрЗимШк Новоуральск.
ТЕРМОДИНАМИКА ДЕБАЕВСКИХ СИСТЕМ В СЛАБО И УМЕРЕННО НЕИДЕАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ А.Г. Храпак 1, С.А. Храпак 1,2 1 Объединенный институт высоких температур РАН, Москва,
НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА МОДУЛЯЦИОННОЙ НЕУСТОЙЧИВОСТИ Рыскин Н.М. Саратовский госуниверситет Факультет нелинейных процессов.
Транксрипт:

Гранулированные металлы

X.Yu, M.B.Duxbury, G.Jeffers, M.A.Dubson, Phys.Rev. B 44, (1991) In, напыленный на SiO 2 при комнатной температуре

Гранулированная пленка (кермет) состава Au + Al 2 O 3 Металл – темные области Перколяционный путь (линия тока) B.Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)

Пленка гранулированного Al в матрице аморфного Ge Металл – светлые области, концентрация металла 66% Y.Shapira, G.Deutcher, Phys.Rev. B 27, 4463 (1983)

Зависимость сопротивления гранулированных пленок от концентрации металла x B. Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975) (переходы металл – изолятор)

= (g F a 3 ) 1 Критерий гранулярности ~ T ~ sc A. Frydman., Physica C 391, 189 (2003)

B. Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)

Кулоновская блокада Кулоновская энергия заряженной гранулы то количество заряженных гранул Если C

Туннельные характеристики системы B. Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)

Функцию распределения по размерам D(a) конечных гранул на поверхности контакта нормируем условием В очень маленькую гранулу туннелирование не произойдет g a ( ) = 0, | | < C (a) g 0, | | > C (a) Итого P часть поверхности, принадлежащая бесконечному металлическому кластеру