НИИ Материаловедения Использование рентгеновского двукристального спектрометра в микроэлектронике Голубков С.А., Егоров Н.Н., Малюков Б.А., Михаэлян В.М., Смирнов Д.И. Москва, 2011
ГЭС(100)(010)Si/ (012)(20) - Al 2 O 3
Метод измерения ШКК Установка «Дрон-3» ИССЛЕДОВАНИЕ ИСХОДНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЯ ШИРИНЫ КРИВОЙ КАЧАНИЯ Принципиальная схема двойного кристалл-спектрометра
Переходной слой кремния и сапфира в КНС-структуре. Получено методом TEM
Кривая качания от слоя кремния в КНС- структуре после усреднения по разработанной программе Исходный образец d=0,3 мкм ШКК = 1764 ШКК Принцип расчета ШКК на примере структуры КНС с толщиной кремния 0,3 мкм ОБРАБОТКА КРИВОЙ КАЧАНИЯ КНС-СТРУКТУРЫ
Iх1000, имп d, мкм
Зависимость интенсивности рефлекса 400 от толщины слоя Si в КНС-структуре (режим работы рентгеновской трубки с Cu анодом – 25 kV, 2 mA)
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ШКК ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ В РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ДО и после ОТЖИГА ШКК = 1404 ШКК = 1908 ШКК = 2484
Кристаллодержатель в дифрактометре «Вектор» РЕНТГЕНОВСКИЙ ДИФРАКТОМЕТР «ВЕКТОР-GaN» Рентгеновская установка «Вектор-акцент»
Разориентация подложек сапфира Разориентация сапфира и ШКК РАЗОРИЕНТАЦИЯ
ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ САПФИРА НА КАЧЕСТВО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
ИЗМЕНЕНИЕ ШИРИНА КРИВОЙ КАЧАНИЯ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ ИМПЛАНТАЦИИ
Благодарю за внимание!