НИИ Материаловедения Использование рентгеновского двукристального спектрометра в микроэлектронике Голубков С.А., Егоров Н.Н., Малюков Б.А., Михаэлян В.М.,

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
А.А. Чистилин, А.А. Романов Ю.М.Московская ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ КИСЛОРОДА В СЛОЙ КРЕМНИЯ НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ НА ТОКИ УТЕЧКИ n-КАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.
Advertisements

ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
РОЛЬ ВЫСШИХ ПОРЯДКОВ ОТРАЖЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛИНИЙ ПРИ РЕГИСТРАЦИИ НА ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫХ МИКРОАНАЛИЗАТОРАХ Лаврентьев Ю.Г., Королюк В.Н., Нигматулина.
ЭФФЕКТЫ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СТРУКТУРАХ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, С.Ю. Турищев Воронежский государственный.
Оптимизация структуры полупроводникового лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением при помощи методов приборно-технологического моделирования.
ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПО КУРСУ ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ 2 Д В.
Поликапиллярная оптика Кумахова и её применение Лютцау А.В., Болотоков А.А, Ибраимов Н.С., Лихушина Е.В., Зайцев Д.В., Никитина С.В. Институт.
МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК Mg(Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4-d НА КРЕМНИИ А.В.Труханов 1*, С.В.Труханов 1, А.Н.Васильев 2 1 ГО«НПЦ НАН Беларуси по.
ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный.
Два основных режима фотовозбуждения а) Фотовозбуждение короткими (~0,6 нс) вспышками лазера с более низким числом фотонов во вспышке (lgQ=13-16 ph/cm2).
Модификация структуры и механических свойств быстрорежущей стали Р18 при комбинированном плазменном и термическом воздействии Магистерская работа Бибик.
ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА УСКОРЕННОЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОПРЕЦИПИТАТОВ SiO 2 В Si ПОД ДЕЙСТВИЕМ RTA Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАНУ, Киев,
Разработал: Смирнов Д.А..
ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ И ТЕРМООБРАБОТКЕ ПЛАСТИН Меженный М.В. 1), Простомолотов А.И. 2),
Институт земной коры СО РАН, Иркутск Аналитический центр ОЦЕНКА ВОЗМОЖНОСТИ КОЛИЧЕСТВЕННОГО РЕНТГЕНОФЛУОРЕСЦЕНТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ TiO 2, V, Ba, La, Ce, Nd,
СОПОСТАВЛЕНИЕ МЕТОДОВ УЧЕТА ФОНА ПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВОМ МИКРОАНАЛИЗЕ МОНАЦИТА ДЛЯ ЦЕЛЕЙ ДАТИРОВАНИЯ Карманов Н.С., Нигматулина Е.Н., Королюк В.Н., Лаврентьев.
Расчет турбулентных течений Проблемы расчета нестационарных переходных и турбулентных течений вязких жидкостей и газов многие годы находятся в центе внимания.
Белорусский государственный университет Физический факультет Кафедра атомной физики и физической информатики Электрофизические свойства водородосодержащих.
Ultra optics 1 ПРИМЕНЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ В ИССЛЕДОВАНИИ СТРУКТУРНЫХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ A 3 В 5 НАНОКРИСТАЛЛОВ В ИОННОИМПЛАНТИРОВАННОМ КРЕМНИИ.
Транксрипт:

НИИ Материаловедения Использование рентгеновского двукристального спектрометра в микроэлектронике Голубков С.А., Егоров Н.Н., Малюков Б.А., Михаэлян В.М., Смирнов Д.И. Москва, 2011

ГЭС(100)(010)Si/ (012)(20) - Al 2 O 3

Метод измерения ШКК Установка «Дрон-3» ИССЛЕДОВАНИЕ ИСХОДНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЯ ШИРИНЫ КРИВОЙ КАЧАНИЯ Принципиальная схема двойного кристалл-спектрометра

Переходной слой кремния и сапфира в КНС-структуре. Получено методом TEM

Кривая качания от слоя кремния в КНС- структуре после усреднения по разработанной программе Исходный образец d=0,3 мкм ШКК = 1764 ШКК Принцип расчета ШКК на примере структуры КНС с толщиной кремния 0,3 мкм ОБРАБОТКА КРИВОЙ КАЧАНИЯ КНС-СТРУКТУРЫ

Iх1000, имп d, мкм

Зависимость интенсивности рефлекса 400 от толщины слоя Si в КНС-структуре (режим работы рентгеновской трубки с Cu анодом – 25 kV, 2 mA)

ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ШКК ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ В РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ДО и после ОТЖИГА ШКК = 1404 ШКК = 1908 ШКК = 2484

Кристаллодержатель в дифрактометре «Вектор» РЕНТГЕНОВСКИЙ ДИФРАКТОМЕТР «ВЕКТОР-GaN» Рентгеновская установка «Вектор-акцент»

Разориентация подложек сапфира Разориентация сапфира и ШКК РАЗОРИЕНТАЦИЯ

ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ САПФИРА НА КАЧЕСТВО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

ИЗМЕНЕНИЕ ШИРИНА КРИВОЙ КАЧАНИЯ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ ИМПЛАНТАЦИИ

Благодарю за внимание!