Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Факультет Управления и экономики высоких технологий Институт международных отношений Интегральные схемы integrated circuit Презентацию подготовила: Селиверстова Анастасия Группа У4-03

«Как в минимум места вместить максимум компонентов?» 1.микроминиатюрное устройство 2.полупроводниковый кристалл 3.неразборный корпус Интегральные схемы.

Процесс сборки интегральных схем технологии перевернутого кристалла

И.С. ПолупроводниковыеПлёночные Интегральные схемы.

На рис. сгущенными точками показаны слои проводников тока из алюминия; разреженными точками показаны слои полупроводника из двуокиси кремния; косыми линиями показаны слои кремния с проводимостью n, с повышенной проводимостью n+ и р типов: участок полупроводника (подложка)с проводимостью р типа а образует конденсатор б, транзистор в, резистор г Поперечное сечение и электрическая схема полупроводниковой интегральной схемы.

На рис. разреженными точками показаны слои полупроводника из окиси кремния; вертикальными разреженными линиями показан слой хрома; вертикальными сгущенными линиями показан слой из хромистого никеля (NiCr); горизонтальными линиями показаны слои проводников тока из золота или серебра; на керамической подложке а выполнены конденсатор б, транзистор в, резистор г Поперечное сечение и электрическая схема гибридной интегральной схемы

Элементная база ЭВМ - большие интегральные схемы (БИС). Большие ИС.

На поверхность кремниевой подложки наносятся промежуточный слой термической двуокиси кремния и слой нитрида кремния, играющий роль маски при последующем локальном окислении кремния. Далее с помощью процесса литографии на поверхности вытравливаются окна, в которые осуществляется ионная имплантация бора. Иногда имплантацию осуществляют через слой окисла для уменьшения концентрации примеси в подложке и глубины ее проникновения. Сверхбольшие интегральные схемы

На этом этапе проводятся следующие технологические операции: - локальное окисление кремния (ЛОКОС процесс); - формирование подзатворного окисла (после удаления промежуточных слоев двуокиси и нитрида кремния); - имплантация бора для регулировки порогового напряжения нормально закрытых транзисторов; - - формирование окна под скрытый контакт. Сверхбольшие интегральные схемы

На данном этапе проводится ионная имплантация мышьяка для формирования канала нормально открытого транзистора. Использование мышьяка вместо фосфора обусловлено меньшей его глубиной в полупроводниковую подложку. Сверхбольшие интегральные схемы

Проводится нанесение поликристаллического кремния с его последующим легированием мышьяком. Поликремний выполняет роль будущих затворов, предотвращает p- каналы от дальнейшей перекомпенсации акцепторной примеси мышьяком и служит материалом для последующего соединения стока и затвора нормально открытого транзистора. На этом этапе достигается самосовмещение стоков, истоков и затворов. Сверхбольшие интегральные схемы

Заключительный этап формирования схемы. На нем осуществляются: - литография под металлизацию к стокам и истокам транзисторов - нанесение фосфор силикатного стекла (ФСС). ФСС предотвращает диффузию ионов натрия, сглаживает рельеф поверхности, производит дополнительную активацию примеси. - формируется пассивирующий диэлектрический слой (окисел или плазмохимический нитрид кремния) Сверхбольшие интегральные схемы

мм рт. ст 2.тонкие ( 1 мкм) плёнки 3.золото, титан 4.гибридные ИС Плёночные ИС.

Спасибо за внимание!