sp 3 –гибридизация

Углерод

Дефекты в кристаллах

Классификация по размерам и протяжённости

Типы точечных дефектов 1 - вакансия; 2 - межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю; 4 - примесный атом замещения; 5 - примесный атом внедрения; 6 - атом замещения большей валентности

Основные механизмы образования точечных дефектов Тепловые колебания атомов Пластическая деформация Облучение Отклонения от стехиометрии

Дислокации Дислокации – линейные дефекты кристаллической решётки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования. Различают простые и сложные дислокации. К простым относятся краевые и винтовые

Винтовая дислокация

Контур и вектор Бюргерса краевой дислокации

Двумерные дефекты

Объёмные дефекты Включения второй фазы – это частицы макро размеров, состав которых отличается от состава основного вещества. В кристаллах встречаются включения второй фазы двух типов: включения одного из компонентов соединения (например Pb в PbTe) или включения инородной фазы, образующейся при выращивании легированных кристаллов (например, CdTe в кристалле PbTe, легированном кадмием). Тепловые колебания кристаллической решётки… Зональные упругие напряжения – это напряжения, возникающие при макроскопически неоднородном характере поля внешних сил, действующих на кристалл, и уравновешивающиеся в макрообъёмах кристалла. Поры – это объёмные пустоты макро размеров в кристаллической решётке. К появлению пор приводят скопления вакансий. Поры могут образовываться в ходе выращивания кристаллов или при их радиационном облучении.